前面的幾篇文章已經說明了pcm的特性，它可以和傳統的dram構成混合記憶體提高計算機系統的效能的同時降低記憶體功耗。然而仍然有人提出將pcm用於外存，這種非易失的新型儲存器用於外存必將大幅提高計算機的速度。但是鑑於pcm的**較高，所以可以使用pcm和flash的混合外存。
首先介紹flash，快閃儲存器是一種讀寫速度快、低功耗、耐高溫且無雜訊的新型儲存裝置。快閃儲存器分為nor型和nand型，不同型別的快閃儲存器具有不同的特點，nor型隨機性比較好，但是讀和擦除的速度慢，nand型的優點是寫速度快，但是隨機性差。另外快閃儲存器具有讀寫次數的限制，一般為10的4-5次方左右。快閃儲存器必須有擦除步驟，其擦除的過程就是將所有的空閒塊全部置「1」，因為快閃儲存器的特點是只能寫「0」，因此寫資料的過程也就是寫「0」的過程。為了延長快閃儲存器的壽命，需要一種負載均衡策略。
均衡演算法主要包括了兩種策略，動態和靜態均衡演算法。動態演算法是儲存有資料的塊可能會不斷進行更新，當該塊到達一定的閾值的時候就將該快重新定位到另乙個資料塊，拷貝相應的資料資訊並改變各個鍊錶資訊。這種動態的策略保證了同乙個資料塊不會被頻繁的訪問。但是還有乙個問題，有些資料塊是很少更新甚至不會更新的（比如**段），對於這些資料占用的段不會被多次寫。為了更進一步的平衡寫次數，還需要一種靜態分配策略。最簡單的靜態分配策略就是記錄每個塊發生更新的次數，當這些塊更新的總次數到達一定的閾值的時候就將」冷資料塊「（寫次數少的塊）和「熱資料
」塊進行互換；從而到達負載均衡的目的。還有一種策略是建立起兩個空閒資料塊鍊錶，乙個是較少更新空閒表，乙個是較頻更新空閒表。當發生資料更新的時候，物理塊也會發生變化，這樣就會使冷的資料熱起來，熱的資料塊冷下去。
pcm作為儲存器也可以使用與flash同樣的方式。另外由於pcm的寫不是以塊為單位的，同時pcm在寫的時候也沒必要先擦除（全部置1）。為了降低pcm寫的數量，在寫盤的時候，先執行讀操作，將
讀出的資料
與將要寫入的資料
進行比較，修改不同的位。為了進一步減少寫的數量，可以設定乙個標誌位代表資料是否相反。比如讀出的資料與將要寫入的資料的海明距離大於n/2，則將該標誌位置1，以保證修改的資料永遠小於n/2。
IoT STM32 Flash 均衡儲存演算法
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