sdram的內部是乙個儲存陣列。因為如果是管道式儲存（就如排隊買票），就很難做到隨機訪問了。
陣列就如同**一樣，將資料「填」進去，你可以把它想象成一張**。和**的檢索原理一樣，先指定乙個行（row），再指定乙個列（column），我們就可以準確地找到所需要的單元格，這就是記憶體晶元定址的基本原理。對於記憶體，這個單元格可稱為儲存單元,那麼這個**（儲存陣列）叫什麼呢？它就是邏輯bank（logical bank，下文簡稱l-bank）。
l-bank儲存陣列示意圖
由於技術、成本等原因，不可能只做乙個全容量的l-bank，而且最重要的是，由於sdram的工作原理限制，單一的l-bank將會造成非常嚴重的定址衝突，大幅降低記憶體效率。所以人們在sdram內部分割成多個l-bank，較早以前是兩個，目前基本都是4個，這也是sdram規範中的最高l-bank數量。到了rdram則最多達到了32個，在最新ddr-ⅱ的標準中，l-bank的數量也提高到了8個。
這樣，在進行定址時就要先確定是哪個l-bank，然後再在這個選定的l-bank中選擇相應的行與列進行定址。可見對記憶體的訪問，一次只能是乙個l-bank工作，而每次與北橋交換的資料就是l-bank儲存陣列中乙個「儲存單元」的容量。在某些廠商的表述中，將l-bank中的儲存單元稱為word（此處代表位的集合而不是位元組的集合）。
sdram的乙個儲存單元並不是儲存乙個bit，一般是8bit的整數倍（8bits,16bits,32bits），這個儲存單元的容量就是晶元的位寬（也是l-bank的位寬），sdram記憶體晶元一次傳輸率的資料量就是晶元位寬。
現在我們應該清楚記憶體晶元的基本組織結構了。那麼記憶體的容量怎麼計算呢？顯然，記憶體晶元的容量就是所有l-bank中的儲存單元的容量總合。計算有多少個儲存單元和計算**中的單元數量的方法一樣：
儲存單元數量=2^行數 × 2^列數（得到乙個l-bank的儲存單元數量）× l-bank的數量 「單位：bits」
在很多記憶體產品介紹文件中，都會用m×w的方式來表示晶元的容量（或者說是晶元的規格/組織結構）。m是該晶元中儲存單元的總數，單位是兆（英文簡寫m，精確值是1048576，而不是1000000），w代表每個儲存單元的容量，也就是sdram晶元的位寬（width），單位是bit。計算出來的晶元容量也是以bit為單位，但使用者可以採用除以8的方法換算為位元組（byte）。比如8m×8，這是乙個8bit位寬晶元，有8m個儲存單元，總容量是64mbit（8mb）。
以mt48lc16m16a2為例，該晶元結構為4 x 16m x 16bits，表示4個bank，4個bank共16m個單元（注意不是每個bank有16m單元），位寬16bits，大小計算
capacity = 16m * 16bits = 256 mbits = 32 mbytes
SDRAM的邏輯Bank與晶元容量表示方法
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sdram的內部是乙個儲存陣列。因為如果是管道式儲存 就如排隊買票 就很難做到隨機訪問了。陣列就如同 一樣，將資料 填 進去，你可以把它想象成一張 和 的檢索原理一樣，先指定乙個行 row 再指定乙個列 column 我們就可以準確地找到所需要的單元格，這就是記憶體晶元定址的基本原理。對於記憶體，這...