SDRAM的邏輯Bank與晶元容量表示方法

2021-05-06 13:59:35 字數 2010 閱讀 4075

sdram的邏輯bank與晶元容量表示方法

2008-12-08 16:46

1、邏輯bank與晶元位寬

講完sdram的外在形式,就該深入了解sdram的內部結構了。這裡主要的概念就是邏輯bank。簡單地說,sdram的內部是乙個儲存陣列。因為如果是管道式儲存(就如排隊買票),就很難做到隨機訪問了。

陣列就如同**一樣,將資料「填」進去,你可以把它想象成一張**。和**的檢索原理一樣,先指定乙個行(row),再指定乙個列(column),我們就可以準確地找到所需要的單元格,這就是記憶體晶元定址的基本原理。對於記憶體,這個單元格可稱為儲存單元,那麼這個**(儲存陣列)叫什麼呢?它就是邏輯bank(logical bank,下文簡稱l-bank)。

l-bank儲存陣列示意圖

由於技術、成本等原因,不可能只做乙個全容量的l-bank,而且最重要的是,由於sdram的工作原理限制,單一的l-bank將會造成非常嚴重的定址衝突,大幅降低記憶體效率(在後文中將詳細講述)。所以人們在sdram內部分割成多個l-bank,較早以前是兩個,目前基本都是4個,這也是sdram規範中的最高l-bank數量。到了rdram則最多達到了32個,在最新ddr-ⅱ的標準中,l-bank的數量也提高到了8個。

這樣,在進行定址時就要先確定是哪個l-bank,然後再在這個選定的l-bank中選擇相應的行與列進行定址。可見對記憶體的訪問,一次只能是乙個l-bank工作,而每次與北橋交換的資料就是l-bank儲存陣列中乙個「儲存單元」的容量。在某些廠商的表述中,將l-bank中的儲存單元稱為word(此處代表位的集合而不是位元組的集合)。

從前文可知,sdram記憶體晶元一次傳輸率的資料量就是晶元位寬,那麼這個儲存單元的容量就是晶元的位寬(也是l-bank的位寬),但要注意,這種關係也僅對sdram有效,原因將在下文中說明。

2、記憶體晶元的容量

現在我們應該清楚記憶體晶元的基本組織結構了。那麼記憶體的容量怎麼計算呢?顯然,記憶體晶元的容量就是所有l-bank中的儲存單元的容量總合。計算有多少個儲存單元和計算**中的單元數量的方法一樣:

儲存單元數量=行數×列數(得到乙個l-bank的儲存單元數量)×l-bank的數量

在很多記憶體產品介紹文件中,都會用m×w的方式來表示晶元的容量(或者說是晶元的規格/組織結構)。m是該晶元中儲存單元的總數,單位是兆(英文簡寫m,精確值是1048576,而不是1000000),w代表每個儲存單元的容量,也就是sdram晶元的位寬(width),單位是bit。計算出來的晶元容量也是以bit為單位,但使用者可以採用除以8的方法換算為位元組(byte)。比如8m×8,這是乙個8bit位寬晶元,有8m個儲存單元,總容量是64mbit(8mb)。

不過,m×w是最簡單的表示方法。下圖則是某公司對自己記憶體晶元的容量表示方法,這可以說是最正規的形式之一。

業界正規的記憶體晶元容量表示方法

我們可以計算一下,結果可以發現這三個規格的容量都是128mbits,只是由於位寬的變化引起了儲存單元的數量變化。從這個例子就也可以看出,在相同的總容量下,位寬可以採用多種不同的設計。

3、與晶元位寬相關的dimm設計

為什麼在相同的總容量下,位寬會有多種不同的設計呢?這主要是為了滿足不同領域的需要。現在大家已經知道p-bank的位寬是固定的,也就是說當晶元位寬確定下來後,乙個p-bank中晶元的個數也就自然確定了,而前文講過p-bank對晶元集合的位寬有要求,對晶元集合的容量則沒有任何限制。高位寬的晶元可以讓dimm的設計簡單一些(因為所用的晶元少),但在晶元容量相同時,這種dimm的容量就肯定比不上採用低位寬晶元的模組,因為後者在乙個p-bank中可以容納更多的晶元。比如上文中那個記憶體晶元容量標識圖,容量都是128mbit,合16mb。如果dimm採用雙p-bank+16bit晶元設計,那麼只能容納8顆晶元,計128mb。但如果採用4bit位寬晶元,則可容納32顆晶元,計512mb。dimm容量前後相差出4倍,可見晶元位寬對dimm設計的重要性。因此,8bit位寬晶元是桌面台式電腦上容量與成本之間平衡性較好的選擇,所以在市場上也最為普及,而高於16bit位寬的晶元一般用在需要更大位寬的場合,如顯示卡等,至於4bit位寬晶元很明顯非常適用於大容量記憶體應用領域,基本不會在標準的unbuffered 模組設計中出現

SDRAM的邏輯Bank與晶元容量表示方法

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