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場效電晶體的分類：場效電晶體分結型（jfet）、絕緣柵型(mos，是fet的一種)兩大類；按溝道材料：結型和絕緣柵型各分n溝道和p溝道兩種；按導電方式：耗盡型與增強型，結型場效電晶體均為耗盡型，絕緣柵型場效電晶體既有耗盡型的，也有增強型的。如下圖：
場效應電晶體的特點是柵極的內阻極高，採用二氧化矽材料的可以達到幾百兆歐，用柵源極電壓控制漏極電流，屬於電壓控制型器件；具有較高輸入阻抗和低雜訊等優點，因而也被廣泛應用於各種電子裝置中，場效電晶體可以用作電子開關。尤其用場效管做整個電子裝置的輸入級，可以獲得一般電晶體很難達到的效能。用在電路圖的標示如下:
場效電晶體與電晶體的比較：
（1）場效電晶體是電壓控制項，而電晶體是電流控制項。在只允許從訊號源取較少電流的情況下，應選用場效電晶體（因為其內阻極大）；而在訊號電壓較低，又允許從訊號源取較多電流的條件下，應選用電晶體。
（2）場效電晶體是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而電晶體是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。
（3）有些場效電晶體的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比電晶體好。
（4）場效電晶體能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的製造工藝可以很方便地把很多場效電晶體整合在一塊矽片上，因此場效電晶體在大規模積體電路中得到了廣泛的應用。
.場效電晶體和雙極型電晶體的比較和選擇
場效電晶體和雙極型電晶體的比較和選擇
現將場效電晶體和電晶體相比較, 作為選管時的參考.
一. 場效電晶體的s,g,d電極其功能與電晶體的e,b,c相對應.
二. 場效電晶體是電壓控制器件, 柵極基本上不取電流, 而電晶體的基極
總是要取一定的電流. 所以在只允許從訊號源取極小量電流的情況下, 應該
選用場效電晶體; 而在允許取一定量電流時, 選用電晶體進行放大可以得到比
場效電晶體較高的電壓放大倍數.
三. 場效電晶體是多子導電, 而電晶體則是既利用多子, 又利用少子. 由
於少子的濃度易受溫度,輻射等外界條件的影響, 因此在環境變化比較劇烈的
條件下, 採用場效電晶體比較合適.
四. 與雙極型電晶體相比, 場效電晶體的雜訊係數較小, 所以在低雜訊放
大器的前級通常選用場效電晶體, 也可以選特製的低雜訊電晶體. 但總的來說
, 當訊雜比是主要矛盾時, 還應選用場效電晶體.
五. 場效電晶體的漏,源極可以互換, 耗盡型絕緣柵管的柵極電壓可正可負
, 靈活性比電晶體強.
六. 場效電晶體和電晶體都可以用於放大或作可控開關, 但場效電晶體還可
以作為壓控電阻使用, 而且製造工藝便於整合化, 因此在電子裝置中得到廣
泛的應用.
三極體BTJ與場效電晶體FET
bjt是bipolar junction transistor的縮寫，也即是雙極性電晶體。從名字上看，btj就是有兩個pn結組成。bjt有兩種型別 npn和pnp，其中npn最常用，兩者的表示符號如下圖。bjt是電流控制器件，下文以npn為例，介紹bjt的放大原理。文中會用二極體的 多子 和 少子 ...
二極體 三極體 場效電晶體
1 二極體導通電壓是0.7伏 矽管 0.3伏 鍺管 發光二極體的導通電壓是1.8v。2 三極體工作條件 npn 放大，集電結反偏，發射結正偏 截止，集電結反偏，發射結反偏 飽和，集電結正偏，發射結正偏 pnp 放大，集電結正偏，發射結反偏 截止，集電結反偏，發射結反偏 飽和，集電結正偏，發射結正偏 ...
二極體與三極體與場效電晶體
1 晶體二極體在電路中常用 d 加數字表示。二極體的主要特性是單向導電性，也就是在正向電壓的作用下，導通電阻很小 而在反向電壓作用下導通電阻極大或無窮大。所以有隔離作用 如上的三個二極體d2d3d4，由於單向導電性，供電只能從左往右而不能從右往左，當main 5v供電成功後，不致於電流回貫到5v v...