藍色巨人出手就是王炸。
5月6日訊息，ibm宣布造出了全球第一顆2nm工藝的半導體晶元。
核心指標方面，ibm稱該2nm晶元的電晶體密度（mtr/mm2，每平方公釐多少百萬顆電晶體）為333.33，幾乎是台積電5nm的兩倍，也比外界預估台積電3nm工藝的292.21 mtr/mm2要高。
換言之，在150平方公釐也就是指甲蓋大小面積內，就能容納500億顆電晶體。
同時，ibm表示，在同樣的電力消耗下，其效能比當前7nm高出45%，輸出同樣效能則減少75%的功耗。
實際上，ibm此前也是率先造出7nm（2023年）和5nm（2023年）晶元的廠商，在電壓等指標的定義上很早就拿下主導權。
回到此次的2nm上，採用的是gaa（環繞柵極電晶體）技術，三層。ibm介紹，這是第一程式設計客棧次使用底介電隔離通道，它可以實現12 程式設計客棧nm的柵長，其內部間隔是第二程式設計客棧代乾法設計，有助於奈米片的開發。這也是第一次使用euv**feol部分過程。
需要注意的是，ibm並沒有自己的晶圓廠，2023年其製造工廠賣給了格芯，但兩者簽署了10年合作協議，另外，ibm也和三星、intel保持合作。
關於gaa電晶體技術，三星3nm、intel 5nm以及台積電2nm均將首程式設計客棧次採用。
本文標題: 里程碑！ibm宣布造出全球首顆2nm euv晶元
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