這幾年，台積電在半導體工藝上一路策馬揚鞭，春風得意，能夠追趕的也只有三星了，但是後者的工藝品質一直飽受質疑。
ieee isscc國際固態電路大會上，三星（確切地說是samsung foundry）又首次展示了採用3nm工藝製造的晶元，是一顆256gb(32gb)容量的sram儲存晶元，這也是新工藝落地傳統的第一步。
在三星路線圖上，14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工藝節點，其他則是公升級改善型，包括11/8/6/5/4nm等等。
三程式設計客棧星將在3nm工藝上第一次應用gaafet（環繞柵極場效應電晶體）技術，再次實現了電晶體結構的突破，比現在的finfet立體電晶體又是一大飛躍。
gaafet技術又程式設計客棧分為兩種型別，一是常規gaafet，使用奈米線（nanowire）作為電晶體的鰭(fin)，二是mbcfet（多橋通道場效應電晶體），使用的鰭更厚更寬一些，稱之為奈米片(nanosheet)。
三星的第一顆3nm sram晶元用的就是mbcfet，容量256gb，面積56平方公釐，最令三星驕傲的就是超低功耗，寫入電壓只需要區區0.23v，這要感謝mbcfet的多種省電技術。
按照三星的說法，3gae工藝相比於其7lpp，可將pjnlabwwnu電晶體密度增加最多80%，效能提公升最多30%，或者功耗降低最多50%。
或許，這可以讓三星更好地控制晶元功耗、發熱，避免再出現所謂的「翻車」。
三星3nm預計明年投入量產，但尚未公布任何客戶。
台積電方面，3nm繼續使用finfet技術，號稱相比於5nm電晶體密度增加70%，效能可提公升11%，pjnlabwwnu或者功耗可降低27%，預計今年晚些時候投入試產，明年量產，客戶包括除了蘋果、amd、nvidia、聯發科、賽靈思、博通、高通等，甚至據說intel也會用。
本文標題: 三星全球首秀3nm！電壓只需0.23v
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