三星半導體宣布，通過結構創新，實現了基於mram(磁阻隨機訪問儲存器)的記憶體內計算(in-memory computing)，進一步拓展了三星的下一代低功耗人工智慧晶元技術的前沿領域。
在傳統的計算體系中，記憶體中的資料要轉移到處理晶元的資料計算單元中進行處理，對於頻寬、時延要求非常高。
記憶體內計算則是一種新的計算模式，也可以叫做存算一體化」，在記憶體中同時執行資料儲存、資料計算處理，無需往復移動資料。
同時，記憶體網路中的資料處理是以高度並行的方式執行，因此提高效能的同時，還能大大降低功耗。
對比其他儲存器，mram磁阻內存在執行速度、壽命、量產方面都有明顯優勢，功耗也遠低於傳統dram，關鍵是還具有非易失的特點，即斷電不會丟失資料。
不過一直以來，mram磁阻記憶體很難用於記憶體內計算，因為它在標程式設計客棧準的記憶體內計算架構中無法發揮低功耗優勢。
三星研究團隊設計了一種名為電阻總和」(resistance sum)的新型記憶體內計算架構，取代標準的電流總和」(current-sum)架構，成功開發了一種程式設計客棧能演示記憶體內計算架構的mram陣列晶元，命名為用於記憶體內計算的磁阻記憶體交叉陣列」(crossbar array of magnetoresistive memory devices for in-memory computing)。
這一陣列成功解決了單個mram器件的小電www.cppcns.com阻問題，從而降低功耗，實現了基於mram的記憶體內計算。
按照三程式設計客棧星的說法，在執行ai計算時，mram內程式設計客棧存內計算可以做到98％的筆跡識別成功率、93％的人臉識別準確率。
本文標題: 準確率98％！三星全球首秀mram磁阻記憶體內計算
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