MRAM獨特功能替換現有記憶體

該堆疊還有很多實質性方面，有幾層用作阻擋層或種子層，然後是製造隧道結所固有的非常薄的mgo層，這是mram堆疊的核心。由於這個障礙非常薄，因此存在容易被破壞的風險。它需要許多層，許多材料的能力。需要具有這樣的精度，以便可以準確沉積正確的厚度。

因為沉積質量對mram器件本身的效能至關重要，而且總的來說，代工廠已經建立了工具集。使mram投入生產。這有助於建立乙個環境，使公司可以開始專門設計用於人工智慧和物聯網（iot）應用程式的mram裝置，而永續性，電源門控和電源管理至關重要。 mram在此具有一些獨特的功能。

它的功能可能導致mram替換現有的記憶體（例如sram）或一起建立新的用例。尋求使mram盡可能類似於sram，因為它提供了相同的價值主張，但在相同的占用空間內具有三到四倍的記憶體，而不會帶來sram帶來的任何洩漏。儘管持續提煉材料很重要，但自旋儲存器正在採用一種適用於任何磁性隧道結的電路級方法，這使其能夠在耐久性方面提高多個數量級，從而提高了效能。