everspin mram記憶體技術是如何工作的？下面將解析關於mram記憶體技術工作原理。
everspin mram與標準cmos處理整合
everspin mram基於與cmos處理整合的磁儲存元件。每個儲存元件都將乙個磁性隧道結（mtj）器件用於儲存單元。
磁性隧道結儲存元件
磁性隧道結（mtj）儲存元件由固定磁性層，薄介電隧道勢壘和自由磁性層組成。當對mtj施加偏壓時，被磁性層自旋極化的電子將通過稱為隧穿的過程穿過介質阻擋層。
當自由層的磁矩平行於固定層時，mtj器件具有低電阻，而當自由層磁矩與固定層矩反平行時，mtj器件具有高電阻。電阻隨裝置磁性狀態的變化是一種被稱為磁阻的效應，因此被稱為「磁阻」 ram。
everspin mram技術可靠
與大多數其他半導體儲存技術不同，資料儲存為磁性狀態而不是電荷，並通過測量電阻來感測而不干擾磁性狀態。使用磁性狀態進行儲存有兩個主要好處。首先，磁極化不會像電荷一樣隨時間流逝而消失，因此即使關閉電源，資訊也會被儲存。其次，在兩種狀態之間切換磁極化不涉及電子或原子的實際運動，因此不存在已知的磨損機制。
everspin mram特點
•消除備用電池和電容器
•非易失性工作儲存器
•實時資料收集和備份
•aec-q100合格選件
•停電時保留資料
•延長系統壽命和可靠性
Everspin MRAM優化系統能耗
與eeprom或快閃儲存器相比，諸如mram之類的技術可以顯著降低系統總能耗。對於許多無線和可攜式應用程式，尤其是在不斷增長的物聯網中，能源預算 一段時間內消耗的總功率 是至關重要的組成部分。在計算設計的功耗預算時，工程師通常會檢視裝置的額定功耗。但是，其他因素也可能起作用。例如，對於非易失性儲存器...
Everspin MRAM常見問題解答
everspin technologies，inc是設計製造mram和stt mram的全球領導者其市場和應用領域涉及資料永續性和完整性，低延遲和安全性至關重要。everspin mram產品廣泛應用在資料中心 雲儲存 能源，工業，汽車和運輸市場中，為全球mram使用者奠定了最強大，增長最快的基礎。...
嵌入式中的malloc記憶體洩漏問題排查技巧
在嵌入式開發中，經常會使用malloc,free分配釋放堆記憶體，稍不小心就可能導致記憶體一點點地洩露，直至堆記憶體洩露完，導致裝置異常重啟或宕機現象時，才追悔莫及。rtos環境沒有什麼有效的除錯工具，下面分享一種記憶體洩漏定位排查技巧。define mutex lock 自行移植，互斥鎖 defi...