對於長期處於困境的mram行業來說，自旋注人方式可以說是一項能夠扭轉危機的革新技術。
mram轟轟烈烈地問世。但此後，mram在工藝發展和大容量方面並沒有取得預期的進展。在目前大批量生產的產品中，mram的製造工藝僅達到180nm,最大容量僅為4mb,而且，其應用僅限於取代需要電池的sram等特定領域。
與此相對,自旋注人mram能夠支援更先進的製造工藝並易於擴大容量，因此，它擁有改變上述狀況並贏得巨大市場的潛力。
現有的mram之所以會在製造工藝和大容量方面遭遇困境，在於其採用的是被稱為磁場寫人方式的工作原理(見圖1a)。磁場寫入方式是指，利用由位線電流和寫人字線電流產生的合成磁場使tmr元件的自由層反磁化。採用這種方法時，反磁化所需要的寫人電流與磁性材料的體積成反比，因此，當採用更先進的工藝時，寫人電流會增大。為了支援大電流流動，必須使用驅動能力大的電晶體，導致儲存單元的面積增加。而且，磁場寫人mram還需要增加寫人字線等額外佈線，所以，儲存單元面積的理論值為12f2,是dram的1.5倍~2倍。
自旋注人方式則可以避免這些缺點。在自旋注人方式中，寫人資料時並不利用磁場，而是直接讓電流流人tmr元件，使tmr元件自由層的磁化方向發生反轉(見圖lb)。製造工藝越先進，反磁化所需的閾值電流就越小。而且由於不再需要寫人字線，所以，儲存單元面積的理論值可達到6f2~8f2，與dram相當。
彌補現有MRAM的不足
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這個程式用易語言編寫,根據本公司實際情況,用於彌補業務系統的不足,包括 1.各業務部門提報的 調價,新品的審核 傳統的流程是業務部門excel製表,列印,報主管總經理簽字後交相關部門手工錄入,而本程式的流程是業務部門在另乙個plugin軟體裡提報,然後總經理通過這個軟體直接審核,業務部門不需要再製作...
MRAM獨特功能替換現有記憶體
該堆疊還有很多實質性方面，有幾層用作阻擋層或種子層，然後是製造隧道結所固有的非常薄的mgo層，這是mram堆疊的核心。由於這個障礙非常薄，因此存在容易被破壞的風險。它需要許多層，許多材料的能力。需要具有這樣的精度，以便可以準確沉積正確的厚度。因為沉積質量對mram器件本身的效能至關重要，而且總的來說...