『非易失性』是指mram單元在關斷電源後仍可保持完整記億,功能雖與快閃儲存器類同,但本質各異。快閃儲存器的非易失性不是快閃儲存器的固有屬性,而是靠兩個快閃儲存器反相器交叉耦合組成，也就是由電晶體、電阻及電容等元器件組合而成的記憶單元,實際上是靠微小電容器儲存的乙份電荷來儲存資訊,如果斷電則這份電荷就會耗盡。但mram單元卻簡單多了，它的四層薄膜中有三層都是鐵磁性材料,寫入自由層的資料:0或ⅰ狀態,設定的原理基於磁性材料固有的磁滯效應具有永久性,這是鐵磁性材料的固有屬性,因此在突然斷電時也不會丟失資訊,存入資料的非易失性自然得到保證。而且儲存資料並不耗電。
隨機訪問
『隨機訪問』是指**處理器讀取資料時不必從頭開始，隨時可用相同的速率從mram晶元的任何部位讀取資訊，這與當前計算機在開機時須重新從硬碟向ram記憶體裝載資訊不同,因mram晶元在關機前已將程式和資料儲存在本地記憶體之中。因此mram晶元取消計算機開機的等待時間,也就是啟動快。而且隨機訪問速率也快,因為mram元件是乙個單體,資料儲存以磁疇取向為依據,存『0』或『1』，原理簡明、執行快捷。不像快閃儲存器那樣隨機訪問有賴於電晶體的導通、截止以及電路傳輸。
儲存密度
mram與快閃儲存器都屬於小規格晶元,所佔空間極小,儲存密度隨著整合技術工藝的發展而增加。整合技術工藝已從亞微公尺工藝進入到奈米工藝，因此mram的體積也越來越小,儲存密度必隨之增加。
低功耗mram單元的功耗很低，儲存單元的工作電壓只有快閃儲存器eeprom的十分之一左右,而且斷電後儲存資料不需耗電。
mram被認為是目前能同時滿足計算機記憶體四項要求:『非易失性、隨機訪問速率高、資料儲存密度高以及耗電功率低』的最佳器件,因而受到業內人士的廣泛關注,各大企業競相開發,力爭產品早日面世。
everspin是設計製造和商業銷售離散和mram和stt-mram的翹楚，其市場和應用領域涉及資料永續性和完整性，低延遲和安全性至關重要。everspin在資料中心和雲儲存及能源，工業，汽車和運輸市場中部署了超過1.2億個mram和stt-mram產品，在包括40nm，28nm及更高工藝在內的先進技術節點上進行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內和垂直mtj st-mram生產。everspin**商英尚微電子可提供驅動、例程和必要的fae支援。
彌補現有MRAM的不足
對於長期處於困境的mram行業來說，自旋注人方式可以說是一項能夠扭轉危機的革新技術。mram轟轟烈烈地問世。但此後，mram在工藝發展和大容量方面並沒有取得預期的進展。在目前大批量生產的產品中，mram的製造工藝僅達到180nm,最大容量僅為4mb,而且，其應用僅限於取代需要電池的sram等特定領域...
彌補現有MRAM的不足
對於長期處於困境的mram行業來說，自旋注人方式可以說是一項能夠扭轉危機的革新技術。mram轟轟烈烈地問世。但此後，mram在工藝發展和大容量方面並沒有取得預期的進展。在目前大批量生產的產品中，mram的製造工藝僅達到180nm,最大容量僅為4mb,而且，其應用僅限於取代需要電池的sram等特定領域...
比較FRAM和MRAM的區別
本篇文章由英尚微詳細介紹非易失性mram與fram之間的區別。疲勞mram技術使用磁態進行資料儲存。在兩種狀態之間切換磁極化不需要原子的運動，因此mram器件沒有磨損機制。fram中的位儲存需要響應電場，使其固有的電偶極子 在pb zr，ti o3的情況下，氧八面體中的ti4 離子 移動。隨著時間的...