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一直認為"nor flash沒有壞塊，而nand flash出廠時可能就有壞塊"，推想nor flash一旦存在壞塊就報廢了，挺可惜的，今天查詢資料才了解到nor flash 是存在壞塊的，只不過是在內對壞塊進行了處理。
在nor flash中，儲存單元是互相併聯的，每個儲存單元的字線、源線分別相連。而在nand flash中，儲存單元是互相串聯的，每個儲存單元的字線、源線首尾相接。
可靠性比較。快閃儲存器的可靠性通常可以分為使用壽命、壞塊處理兩個方面。快閃儲存器的使用壽命，指的是快閃儲存器中每個單元塊進行重複程式設計和檫除的最大次數。當超出規定的最大次數，快閃儲存器就可能工作異常。通常nor flash的最大檫寫次數是十萬次，而nand flash是一百萬次。快閃儲存器內的壞塊處理，是指生產出的快閃儲存器並不是完美的，總會有某些位元或者某些區域不可使用，這時候就要對快閃儲存器進行壞塊處理。針對個別位元的失效，一般通過冗餘位元替換或者錯誤檢查和糾正的方法來進行糾正。冗餘位元替換，是指在晶元設計時，每組儲存單元會有若干個冗餘位元，當該組儲存單元存在失效的位元，就可以用冗餘位元加以替換。冗餘位元替換的方法常用於nor flash中。錯誤檢查和糾正（ecc），是指晶元中每組儲存單元會有若干個位元用做資料的校驗，當該組儲存單元存在失效的位元則通過相應的資料校驗演算法，還原中真實的資料。錯誤檢查和糾正的方法常用於nand flash中。當失效的位元很多且連續時，失效的位元所在的區域會被認識是集體失效。在nor flash中，失效的區域通常也會被冗餘的儲存單元塊替換掉，而在nand flash中，失效的區域會被標記為不可用。這是因為在應用中，nor flash通常被認為是完美的，不允許出失效，而對於nand flash來說，一點比例的失效是不可以接受的。
Nand Flash壞塊處理
nand flash儲存器是flash儲存器的一種，為固態大容量記憶體的實現提供了廉價有效的解決方案。nand儲存器具有容量較大，改寫速度快等優點，適用於大量資料的儲存，如嵌入式產品中包括數位相機 記憶卡 體積小巧的u盤等。1989年，東芝公司發表了nand flash結構，強調降低每位元的成本，更...
Oracle 壞塊處理。
資料引用 親身操作成功！當然那個壞塊的資料會丟失，如果要完整資料，只能用全備恢復，或用歸檔恢復了 oracle的壞塊即ora 01578錯，同時還可能伴隨ora 01110錯，這種錯誤對於初學者或是那些沒有實踐經驗的dba來說無疑是很棘手的。我當初就深受其害，寫下這篇文章則是希望對大家有所幫助。一 ...
ORACLE錶壞塊處理
1.對於普通表，可以考慮使用事件方式處理 事件10231 設定在全表掃瞄時忽略損壞的資料塊 alter system set events 10231 trace name context forever,level 10 exp匯出表資料,然後重建表，重新匯入表資料 alter system se...