nand flash儲存器是flash儲存器的一種，為固態大容量記憶體的實現提供了廉價有效的解決方案。nand儲存器具有容量較大，改寫速度快等優點，適用於大量資料的儲存，如嵌入式產品中包括數位相機、記憶卡、體積小巧的u盤等。
2023年，東芝公司發表了nand flash結構，強調降低每位元的成本，更高的效能，並且像磁碟一樣可以通過介面輕鬆公升級。經過十幾年的發展，nand應用越來越廣泛，但是大多數工程師卻仍然不知道關於nand應用的一些難點：分割槽、ecc糾錯、壞塊管理等。只有真正了解nand特性的工程師，才能在應用上得心應手，不會被nand flash所絆倒。
分割槽
定義分割槽的實質是定義資料會如何寫入nand flash，不同內容的資料寫到對應的位址中。一般使用者會有多個區，比如boot、kernel、fs、user等分割槽。
分割槽的描述：分割槽的位址範圍（起始塊、結束塊），映象檔案大小（image size）。
分割槽的資料儲存：映象檔案是從分割槽的起始塊開始存放，如果分割槽中有壞塊，將使用壞塊處理策略替換壞塊，直到映象檔案結束，如果分割槽中不夠好塊存放映象檔案，則燒錄失敗。
如下圖是跳過壞塊的映象檔案分割槽燒寫示意圖：
ecc（錯誤更正）演算法
ecc 存在於nand 每頁的備用區（spare area）中，它允許外部系統發現主區的資料是否有誤。在大多數情況下，ecc 演算法可以糾正誤碼，nandflash在使用中也可能會出現壞塊，所以ecc是非常有必要的。
不同的使用者會可能會使用不同的ecc演算法，一般來說ecc演算法由處理器**商提供，如果程式設計器軟體中無這個ecc演算法，則需要使用者提供ecc演算法源**。
如果使用者不使用調入檔案，而是使用讀母片的方式燒錄，並且無動態資料，則可以不考慮ecc演算法，因為母片中的備用區已計算好ecc，直接將母片的備用區拷貝至其他晶元即可。
壞塊管理
壞塊處理策略定義了在遇到壞塊時演算法應該如何處理，基本的壞塊處理策略有：跳過壞塊、替換表（預留塊區reserve blockarea，rba）等等，下面分別對幾種壞塊處理方案進行說明。
1、硬拷貝
硬拷貝其實就是遇到壞塊什麼都不處理，不管好塊還是壞塊直接燒寫按順序燒寫資料，即使校驗資料不一致也不報錯，這是最簡單、直接的處理方法，但是只能適用於資料不需管理的方案；
2、跳過壞塊
跳過壞塊就是燒錄資料時，遇到壞塊即跳過此壞塊，將資料順延燒到下乙個好塊，這樣可以保證所有的資料都能燒寫到nand儲存空間中，但是並不知道資料究竟燒到了哪一位；
3、替換表
此方法是將nand儲存空間中預留出一些塊作為保留塊，當遇到壞塊時，在預留的保留塊中選乙個塊來替換壞塊，將原來寫到壞塊的資料寫到替換塊中；
此方法核心是跳過壞塊，但是跳過後需要在nand快閃儲存器指定位置寫入乙個壞塊表（bad block table），下圖是bbt的結構圖。
nand應用需要注意的點大致整理如上，實際使用中會有靈活的應用方案，需要熟知nand特性、程式設計器原理的工程師才能設計出合適的方案加以運用。p800flash極速程式設計器融合了zlg致遠電子三代flash程式設計器的特點，全面支援emmc、nor、nand flash的燒錄，可提供完善的程式設計解決方案。
nand flash壞塊管理OOB,BBT,ECC
0.nand的操作管理方式 nand flash的管理方式 以三星flash為例，一片nand flash為乙個裝置 device 1 device x blocks 1 block x pages 1 page 528 bytes 資料塊大小 512bytes oob 塊大小 16bytes，除o...
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NAND Flash產生壞塊原因
由於nand flash的工藝不能保證nand的memory array在其生命週期中保持效能的可靠，因此，在nand的生產中及使用過程中會產生壞塊。壞塊的特性是 當程式設計 擦除這個塊時，不能將某些位拉高，這會造成page program和block erase操作時的錯誤，相應地反映到statu...