整個ddr sdram顆粒的編號，一共是由14組數字或字母組成，他們分別代表記憶體的乙個重要引數，了解了他們，就等於了解了現代記憶體。
顆粒編號解釋如下：
1． hy是hynix的簡稱，代表著該顆粒是現代製造的產品。
2． 記憶體晶元型別：（5d=ddr sdram）
3． 處理工藝及供電：（v：vdd=3.3v & vddq=2.5v；u：vdd=2.5v & vddq=2.5v；w：vdd=2.5v & vddq=1.8v；s：vdd=1.8v & vddq=1.8v）
4． 晶元容量密度和重新整理速度：（64：64m 4k重新整理；66：64m 2k重新整理；28：128m 4k重新整理；56：256m 8k重新整理；57：256m 4k重新整理；12：512m 8k重新整理；1g：1g 8k重新整理）
5． 記憶體條晶元結構：（4＝4顆晶元；8＝8顆晶元；16＝16顆晶元；32＝32顆晶元）
6． 記憶體bank（儲蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）
7． 介面型別：（1=sstl_3；2=sstl_2；3=sstl_18）
8． 核心代號：（空白=第1代；a=第2代；b=第3代；c=第4代）
9． 能源消耗：（空白=普通；l=低功耗型）
10． 封裝型別：（t=tsop；q=lofp；f＝fbga；fc＝fbga（utc:8x13mm））
11． 封裝堆疊：（空白=普通；s=hynix；k=m&t；j＝其它；m=mcp（hynix）；mu＝mcp（utc））
12． 封裝原料：（空白=普通；p=鉛；h＝鹵素；r=鉛+鹵素）
13． 速度：（d43＝ddr400 3-3-3；d4=ddr400 3-4-4；j＝ddr333；m＝ddr333 2-2-2；k＝ddr266a；h＝ddr266b；l＝ddr200）
14． 工作溫度：（i=工業常溫（-40 - 85度）；e=擴充套件溫度（-25 - 85度））
由上面14條註解，我們不難發現，其實最終我們只需要記住2、3、6、13等幾處數字的實際含義，就能輕鬆實現對使用現代ddr sdram記憶體顆粒的產品進行辨別。尤其是第13位數字，它將明確的告訴消費者，這款記憶體實際的最高工作狀態是多少。假如，消費者買到一款這裡顯示為l的產品（也就是說，它只支援ddr 200的工作頻率），那麼就算記憶體條上貼的標籤或者包裝盒上吹的再好，它也只是一款低檔產品。
常見sdram 編號識別
維修sdram記憶體條時，首先要明白記憶體晶元編號的含義，在其編號中包括以下幾個內容：廠商名稱（代號）、容量、型別、工作速度等，有些還有電壓和一些特殊標誌等。通過對這些引數的分析比較，就可以正確認識和理解該記憶體條的規格以及特點。
(1)世界主要記憶體晶元生產廠商的字首標誌如下：
▲ hy hyundai ------- 現代
▲ mt micron ------- 美光
▲ gm lg-semicon
▲ hyb siemens ------ 西門子
▲ hm hitachi ------ 日立
▲ mb fujitsu ------ 富士通
▲ tc toshiba ------ 東芝
▲ km samsung ------ 三星
▲ ks kingmax ------ 勝創
(2)記憶體晶元速度編號解釋如下:
★ -7 標記的sdram 符合 pc143 規範,速度為7ns.
★ –75標記的sdram 符合pc133規範,速度為7.5ns.
★ –8標記的sdram 符合pc125規範,速度為8ns.
★ –7k/-7j/10p/10s標記的sdram 符合pc100規範,速度為10ns.
★ –10k標記的sdram符合pc66規範,速度為15ns.
(3) 編 號 形 式
hy 5a b ccc dd e f g h ii-jj
其中5a中的a表示晶元類別,7---sdram; d—ddr sdram.
b表示電壓,v—3.3v; u---2.5v; 空白—5v.
ccc表示容量,16—16m; 65—64m; 129—129m; 256—256m.
dd表示頻寬。
f表示介面，0—lvttl； 1—sstl（3）； 2—sstl_2.
g表示版本號，b—第三代。
h表示電源功耗， l—低功耗； 空白—普通型。
ii表示封裝形式， tc—400mil tsop—h.
jj表示速度，7—143mhz; 75—133mhz;8—125mhz;
10p—100mhz(cl=2);10s—100mhz(cl=3)
10—100mhz(非pc100)。
例：1） hy57v651620b tc-75
按照解釋該記憶體條應為：sdram， 3.3v, 64m, 133mhz.
2) hy57v653220b tc-7
按照解釋該記憶體條應為：sdram， 3.3v, 64m, 143mhz
全球主要記憶體晶元生產廠家(掌握記憶體晶元生產技術的廠家主要分布在美國、南韓、日本、德國、台灣)：
序號 品牌 國家/地區 標識 備註
1 三星 南韓 samsung
2 現代 南韓 hy
3 樂金 南韓 lgs 已與hy合併
4 邁克龍 美國 mt
5 德州儀器 美國 ti 已與micron合併
6 日電 日本 nec
7 日立 日本 hitachi
8 衝電氣 日本 oki
9 東芝 日本 toshiba
10 富士通 日本 f
11 西門子 德國 siemens
12 聯華 台灣 umc
13 南亞 台灣 nanya
14 茂矽 台灣 mosei
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