使用鋁、金、銅做電極的ccd攝像機
下面介紹一種使用氧化鋁和金元素做ccd攝像頭的照相機。這個照相機的ccd感光晶元是這樣製作的。首先用感光膠塗抹多晶矽表面，再用棋盤狀條帶覆蓋多晶矽，棋盤狀條帶可以是微縮相機的製作的小型棋盤狀底片。掩膜板由一層1mm後的透光石英和1層棋盤狀鉻，矽，氧化鉻構成。鉻，矽，氧化鉻的質量比是1：0.5：10。製作掩膜板時，首先在石英片表面覆蓋一層四氯化矽粉末，鉻粉末，氧化鉻粉末，然後通入氫氣，在陶瓷舟中加熱到50攝氏度，氫氣和四氯化矽反應生成矽單晶，這時鉻和氧化鉻就進入矽單晶中，就增強了矽單晶的不透光性。然後在這層矽單晶表面上塗上抗蝕劑pmma膠，聚甲基丙烯酸甲酯，正性，pmirk膠：聚甲基異丙烯基酮，正性，鄰-醌重氮系抗蝕劑，pbs樹脂。鄰-醌重氮系中，與酚醛清樹脂結合的重氮萘醌引起光吸收反應。正性光刻膠的光致可溶性原理。多數正性光刻膠的感光成分都含有鹼不溶性重氮萘醌結構的化合物，當受光照射時（波長3-4微公尺，光子能量3-4電子伏），部分重氮萘醌分解，與水反應，變成鹼可溶性的茚基甲酸。pmma樹脂本身產生光化學反應，既當受到光照射時，分子量就不斷下降。
然後用氙-汞燈光源透過上面的小型棋盤狀底片縮小後照射20分鐘，被光照射的部分用氫氧化鈉水溶液就可以把抗蝕劑清洗乾淨，沒有被光照射的抗蝕劑就會留在矽單晶表面，然後用hf和磷酸按照質量比1：2.5的比例就會把露出的矽單晶全部腐蝕完，最終露出下面的石英片，被抗蝕劑覆蓋的矽單晶就會形成棋盤狀掩膜。
把2mm矽單晶元放到電阻爐裡加熱到1200攝氏度，把50g五氧化二磷放到另外乙個電阻爐裡面加熱到250攝氏度，然後把氧氣通入五氧化二磷的電阻爐，在進入放有矽單晶的電阻爐，五氧化二磷就會擴散進入矽單晶中形成n型半導體，這樣擴散1小時候，停止加熱。還可以將氮氣和氧氣通過溶解有10%的物質的量的pocl3水溶液，把水溶液加熱到90攝氏度，再進入放有矽單晶的電阻爐，pocl3水蒸汽就會擴散進入矽單晶中，形成n型半導體，這樣擴散2.5小時候，停止加熱。下一步在再n型矽單晶上面放上1層5mm厚的二氧化矽粉末和碳粉末，加熱到1200攝氏度，二氧化矽和碳反應生成矽。這樣就在n型矽單晶表面形成了一層矽單晶。然後給電阻爐裡面同上氧氣，加熱到200攝氏度矽和氧氣反應生成二氧化矽。然後給這層二氧化矽表面放生一層5mm厚的二氧化矽和碳粉末，加熱到1200攝氏度，二氧化矽和碳反應生成矽。這樣就在二氧化矽表面形成了一層矽單晶。
然後再把這矽單晶元放到電阻爐裡加熱到1200攝氏度，把50g三氧化二硼放到另外乙個電阻爐裡面加熱到250攝氏度，然後把氧氣通入三氧化二硼的電阻爐，在進入放有矽單晶的電阻爐，三氧化二硼就會擴散進入矽單晶中形成p型半導體，這樣擴散1小時候，停止加熱。還可以將氮氣和氧氣通過溶解有10%的物質的量的bcl3，bbr3水溶液，把水溶液加熱到90攝氏度，再進入放有矽單晶的電阻爐，bcl3，bbr3水蒸汽就會擴散進入矽單晶中，形成p型半導體，這樣擴散2.5小時候，停止加熱。
然後再給這個p型半導體表面塗上pmirk抗蝕劑，在抗蝕劑表面覆蓋上一層棋盤狀掩膜，在把這個矽片在氙-汞燈光源下**20分鐘，用氫氧化鈉水溶液吸除反映分解的pmmirk抗蝕劑，再用，10%濃度硝酸，12%濃度磷酸，甘油（質量比1：2：1.5）腐蝕矽片，被抗蝕劑覆蓋的p型矽單晶就會露出來，形成和掩膜一樣的棋盤狀矽單晶。然後再用35%濃度硫酸溶液把pmmirk抗蝕劑清洗乾淨。如下圖所示。
然後再把這個矽單晶放到真空爐裡面，真空度為10-6公釐汞柱。用鎢絲加熱蒸發100g鋁金屬，200g金金屬，150g銅金屬，分別10分鐘，30分鐘，40分鐘鎢絲電壓為10kv，電流為10a。矽單晶放在真空爐裡面的加熱器，加熱到500攝氏度。蒸發完後，停止加熱，取出矽單晶。
再給矽單晶表面塗上pmmirk抗蝕劑，在抗蝕劑表面覆蓋上一層棋盤狀掩膜，在把這個矽片在氙-汞燈光源下**20分鐘，用氫氧化鈉水溶液吸除反映分解的pmmirk抗蝕劑，再用，10%濃度硝酸，12%濃度磷酸，甘油（質量比1：2：1.5）腐蝕蒸發形成的金屬膜，被抗蝕劑覆蓋的p型矽單晶就會露出來，形成和掩膜一樣的棋盤狀矽單晶。然後再用35%濃度硫酸溶液把pmmirk抗蝕劑清洗乾淨。這樣乙個ccd感光靶材就製作完了。當光線照射到前面n型棋盤狀矽單晶時，後面的p型矽單晶就會產生影象訊號。給金屬膜上面加上24正電壓，影象訊號就會增強。用這種矽單晶製作靶材，就會形成一種矽靶攝像管，如下圖所示。
也可以按照下面的方式製作攝像管。
首先光線照射到光電陰極，光電陰極產生電子，電子打在靶材上面。靶材由一層1mm厚長寬各是30cm的p型半導體和1層棋盤狀n型半導體構成。由與光線有強弱，形成的電子就有強弱，當攝像管電子槍產生的掃瞄電子照射到棋盤狀n型半導體上面時，n型半導體的棋盤狀和電子槍的掃瞄電子束相重合，就會和前面p型半導體接收的光電子產生電流訊號，這個電流訊號就是影象訊號，它從靶材輸出。用這種攝像管可以替代普通電子管電視機的映象管做攝像機。
提取碼：cztc
下面是這個系統的原理圖。
這個ccd靶材還可以直接做ccd照相機的感光頭，來製作數位相機。
光線照射到光電陰極，光電陰極發射電子，靶接收到電子，發射二次電子。光電陰極由鉀，鈉，鋰，汞，金，銀等元素構成，它們的質量比是3：3：4：1：1。它被光線照射後發射電子，這些電子在被加速後穿過鋼網撞擊到靶上面。光電陰極由硫化鉛，硒化鉛，砷化銦，砷化銻，碲鎘汞三元合金，鍺及矽摻雜材料組成，它們的質量比是2：2：2：2：1：1：0.5。靶材的製造，靶材由一層參雜有p雜質的多晶矽和一層參雜n型雜質的棋盤狀多晶矽組成。靶在被光電子照射後，光電子經過多晶矽的pn節產生電流形成影象訊號。
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