PON BIP8問題分析

2021-10-24 14:44:26 字數 2465 閱讀 9306

1、問題描述

現網同一

pon下掛多台樣機(32臺以上),個別樣機出現下行bip 8 error告警,

在送樣50臺樣機中共發現8臺樣機存在bip error問題,同批次樣機存在一定不良比例,定位個體差異引起並非必現設計問題。

將問題樣機在同乙個

olt環境下,改變光路衰減,在有效功率範圍內,告警頻率隨功率變大而減小;

在不同olt環境下部分樣機告警取消,但還是有6臺樣機持續告警,確認樣機本身有問題。

第一驗證結論,環境影響

bip告警,但樣機存在問題。

檢查onu個體差異問題,依據之前測試經驗, 光鏈路bip error問題與光訊號鏈路相關,

a、檢測serdes訊號

由於rx訊號為持續訊號,不存在類似tx 訊號翻轉上公升沿不足問題,確認數碼訊號沒有問題,滿足晶元要求, 晶元

datasheet要求

b、供電電源1.1v、3.3v ,ripple 滿足要求

c、光眼圖測試pass

第二驗證證明目前光鏈路訊號滿足訊號完整性要求,再一次排除訊號引質量引入的問題

在serdes電路設計中,預留上件戴維南匹配與模組內部高速訊號匹配重複,在訊號匹配上存在設計邏輯錯誤,去件驗證發現,去掉外部匹配,告警速率會有所下降,但是異常樣機告警始終存在。

a、刪除wifi模組,對測試結果無影響

b、刪除語音模組,對測試結果無影響

c、更換flash型號,對測試結果無影響

d、更換cpu驗證,原異常樣機告警消失

針對更換

cpu驗證,維修3pcs樣機,告警問題都有改善;

針對不同版本的

5116h(100\110)晶元交叉驗證,發現重焊的兩個版本晶元樣機都可以改善bip告警問題。

針對不良品樣機進行

x-ray分析:

從焊接請款來看,

cpu下方錫厚度有明顯差異,且焊點接觸面積過小,僅20~30%,不能滿足晶元epad接觸點要求。

手焊修復樣機:

雖然焊接點並非很大,但是相對於不良樣機有較大面積改善。

1、本次

bip告警主要由於晶元焊接不良導致,針對epad-lqfp216 大型晶元焊接,生產前沒有進行特殊評估,按照經驗操作,導致上錫量不能滿足晶元焊接要求; 2、

onu應用場景環境的保障。

焊接不良原因: 1.

物料pin

腳變形,加大了零件

pin腳底部到零件本體的距離,這樣錫膏無法和零件形成焊接; 2.

錫量不夠導致。已確認目前鋼網開孔面積接近

pad 50%

,正常情況下應該是可以滿足焊接的。 (可

能性較大)。

目前共進鋼網設計:

pcb pad

尺寸:7.9*7.9mm

,面積約62

鋼網開孔尺寸

6.1*6.1mm

,除去中間的架橋,面積約

30,佔

pad面積的

48%。

後續更改如下: 採用

9宮格的開孔方式。單格開孔尺寸:

2.1*2.1mm

總開孔面積

2.1*2.1*9=

39.7

,佔pad

總面積的

62%,比之前的開孔面積增加了

14%。

生產改善方案:

生產過程中是修改鋼網開孔,加大鋼網的開孔面積,增加錫量。

設計改善建議:

刪除外部戴維南匹配電路

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