1、問題描述
現網同一
pon下掛多台樣機(32臺以上),個別樣機出現下行bip 8 error告警,
在送樣50臺樣機中共發現8臺樣機存在bip error問題,同批次樣機存在一定不良比例,定位個體差異引起並非必現設計問題。
將問題樣機在同乙個
olt環境下,改變光路衰減,在有效功率範圍內,告警頻率隨功率變大而減小;
在不同olt環境下部分樣機告警取消,但還是有6臺樣機持續告警,確認樣機本身有問題。
第一驗證結論,環境影響
bip告警,但樣機存在問題。
檢查onu個體差異問題,依據之前測試經驗, 光鏈路bip error問題與光訊號鏈路相關,
a、檢測serdes訊號
由於rx訊號為持續訊號,不存在類似tx 訊號翻轉上公升沿不足問題,確認數碼訊號沒有問題,滿足晶元要求, 晶元
datasheet要求
b、供電電源1.1v、3.3v ,ripple 滿足要求
c、光眼圖測試pass
第二驗證證明目前光鏈路訊號滿足訊號完整性要求,再一次排除訊號引質量引入的問題
在serdes電路設計中,預留上件戴維南匹配與模組內部高速訊號匹配重複,在訊號匹配上存在設計邏輯錯誤,去件驗證發現,去掉外部匹配,告警速率會有所下降,但是異常樣機告警始終存在。
a、刪除wifi模組,對測試結果無影響
b、刪除語音模組,對測試結果無影響
c、更換flash型號,對測試結果無影響
d、更換cpu驗證,原異常樣機告警消失
針對更換
cpu驗證,維修3pcs樣機,告警問題都有改善;
針對不同版本的
5116h(100\110)晶元交叉驗證,發現重焊的兩個版本晶元樣機都可以改善bip告警問題。
針對不良品樣機進行
x-ray分析:
從焊接請款來看,
cpu下方錫厚度有明顯差異,且焊點接觸面積過小,僅20~30%,不能滿足晶元epad接觸點要求。
手焊修復樣機:
雖然焊接點並非很大,但是相對於不良樣機有較大面積改善。
1、本次
bip告警主要由於晶元焊接不良導致,針對epad-lqfp216 大型晶元焊接,生產前沒有進行特殊評估,按照經驗操作,導致上錫量不能滿足晶元焊接要求; 2、
onu應用場景環境的保障。
焊接不良原因: 1.
物料pin
腳變形,加大了零件
pin腳底部到零件本體的距離,這樣錫膏無法和零件形成焊接; 2.
錫量不夠導致。已確認目前鋼網開孔面積接近
pad 50%
,正常情況下應該是可以滿足焊接的。 (可
能性較大)。
目前共進鋼網設計:
pcb pad
尺寸:7.9*7.9mm
,面積約62
鋼網開孔尺寸
6.1*6.1mm
,除去中間的架橋,面積約
30,佔
pad面積的
48%。
後續更改如下: 採用
9宮格的開孔方式。單格開孔尺寸:
2.1*2.1mm
總開孔面積
2.1*2.1*9=
39.7
,佔pad
總面積的
62%,比之前的開孔面積增加了
14%。
生產改善方案:
生產過程中是修改鋼網開孔,加大鋼網的開孔面積,增加錫量。
設計改善建議:
刪除外部戴維南匹配電路
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