對比別的儲存器，奈米碳管執行記憶體(nram)是乙個近些年出現的新東西，它具備眾多優點：可以dram的速度提供非易失性，具有超越dram的可擴充套件性和對快閃儲存器的超強耐久性的潛力。它比基本上全部新起儲存系統（pcm，mram和reram）都更貼近通用性儲存器。他們一般用於更換快閃儲存器晶元，因而nram在理論上既能夠更換dram，還可以更換快閃儲存器晶元。
nram原理大揭秘
nantero已經花費了將近20年的時間來研究nram，該技術基於排列在交叉點電極之間的薄層中的無規組織的碳奈米管的漿料。當施加電壓時，cnt被拉到一起，接觸點數量的增加減少了電極之間的電阻路徑。這種連線是由范德華力在原子級上保持的。為了復位儲存單元，電壓脈衝會引起熱振動來斷開這些連線。
所得的儲存器在低能量下提供了20皮秒的切換速度，以及5ns的實際寫入速度，並具有10 ^ 11個週期的耐久性。這保證了基於cnt的nram的效能，並且在物理幾何尺寸方面具有更好的可擴充套件性，從而成為替代dram和nand flash的通用儲存器。
乙個相對較新的技術是在可隨意切換的cnt的隨機組織「墊」上增加一層對齊的cnt。這些用於保護開關奈米管的下層免於金屬從上方濺射的金屬遷移。
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