首先hcpl3120是乙個2.5a電流輸出的igbt門極驅動光電耦合器。
description：
hcpl3120包含乙個磷砷化鎵的發光led，該led被光電耦合於乙個帶有功率輸出級的積體電路上。這些光耦合器適用於驅動應用在電機控制逆變器功率igbt和mosfet。輸出級的高工作電壓範圍提供開關管所需的驅動電壓。這些光耦合器所提供的電壓和電流使它們非常適合直接驅動額定高達1200v / 100a的igbt。對於高額定值的igbt, hcpl-3120系列可用於驅動離散功率級，再用該功率級驅動igbt。
hcpl-3120電路如下圖所示：
真值表：
ledvcc-vee (正極性)
vcc-vee (負極性)vo滅
0-30v
0-30v
低電平亮
0-11v
0-9.5v
低電平亮
11-13.5v
9.5-12v
轉換過程
亮13.5-30v
12-30v
高電平可以看出當anode-cathode加正壓時，vcc-vee的值在13.5v-30v之間或者在30v–12v之間皆可在vo端輸出高電平。
在引腳5和引腳8之間必須連線乙個0.1uf的旁路電容器。
特性：①2.5a最大峰值輸出電流
②2.0a最小峰值輸出電流
③在vcm= 1500v時有25kv/us的共模訊號抑制(cmr)
④0.5v最大低電平輸出電壓
⑤vcc的寬工作電路範圍:15v-30v
⑥500ns最快開關速度
⑦溫度範圍：-40-100℃
應用：igbt/mosfet門極驅動；
交流/無刷直流電機；
工業逆變器；
開關電源
1 4 手冊約定
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