在做電源或驅動時，功率器件mos管是我們最常用的器件。使用mos管時，如果對mos管的某些引數考慮不周，電路通常是無法工作。所以，mos管選型要考慮方方面面的因素。
mos管廣泛的應用在我們熟知的電路中，比如開關電源，電動馬達、照明調光等驅動電路中。在這裡應用中，我們使用的一般是低壓mos管。與低壓mos管對應的，便是高壓mos管，這兩種mos管的分類是以電壓來分類的。通常高壓mos管電壓在400v-1000v左右，能提供有效的鎖定保護執行，採用cmos技術，與雙極驅動器相比，功耗低，執行效率高，還可以提公升系統的可靠性。低壓mos管電壓在1v-40v左右，有高速度、高效能、低功耗、低導通電阻、小封裝等優勢，適合保護電路和開關電路。
現在的mos驅動，有幾個特別的應用：
1)低壓應用：當使用5v電源，這時候如果使用傳統的圖騰柱結構，由於三極體的be有0.7v左右的壓降，導致實際最終加在gate上的電壓只有4.3v。這時候，我們選用標稱gate電壓4.5v的mos管就存在一定的風險。同樣的問題也發生在使用3v或者其他低壓電源的場合。
2)寬電壓應用：輸入電壓並不是乙個固定值，它會隨著時間或者其他因素而變動。這個變動導致pwm電路提供給mos管的驅動電壓是不穩定的。
為了讓mos管在高gate電壓下安全，很多mos管內建了穩壓管強行限制gate電壓的幅值。在這種情況下，當提供的驅動電壓超過穩壓管的電壓，就會引起較大的靜態功耗。
同時，如果簡單的用電阻分壓的原理降低gate電壓，就會出現輸入電壓比較高的時候，mos管工作良好，而輸入電壓降低的時候gate電壓不足，引起導通不夠徹底，從而增加功耗。
3)雙電壓應用：在一些控制電路中，邏輯部分使用典型的5v或者3.3v數字電壓，而功率部分使用12v甚至更高的電壓。兩個電壓採用共地方式連線。這就提出乙個要求，需要使用乙個電路，讓低壓側能夠有效的控制高壓側的mos管，同時高壓側的mos管也同樣會面對1和2中提到的問題。
在這三種情況下，圖騰柱結構無法滿足輸出要求，而很多現成的mos驅動ic，似乎也沒有包含gate電壓限制的結構。這裡分享2個相對通用的電路來滿足以上三種應用場景。
電路圖如下：
圖1 用於nmos的驅動電路
圖2 用於pmos的驅動電路
上圖nmos和pmos驅動電路功能一致，這裡只分析nmos驅動電路：
vl和vh分別是低端和高階的電源，兩個電壓可以是相同的，但是vl不應該超過vh。
q1和q2組成了乙個反置的圖騰柱，用來實現隔離，同時確保兩隻驅動管q3和q4不會同時導通。
r2和r3提供了pwm電壓基準，通過改變這個基準，可以讓電路工作在pwm訊號波形比較陡直的位置。
q3和q4用來提供驅動電流，由於導通的時候，q3和q4相對vh和gnd最低都只有乙個vce的壓降，這個壓降通常只有0.3v左右，大大低於0.7v的vce。
r5和r6是反饋電阻，用於對gate電壓進行取樣，取樣後的電壓通過q5對q1和q2的基極產生乙個強烈的負反饋，從而把gate電壓限制在乙個有限的數值。這個數值可以通過r5和r6來調節。
最後，r1提供了對q3和q4的基極電流限制，r4提供了對mos管的gate電流限制，也就是q3和q4的ice的限制。必要的時候可以在r4上面併聯加速電容。
這個電路提供了如下的特性：
1)用低端電壓和pwm驅動高階mos管。
2)用小幅度的pwm訊號驅動高gate電壓需求的mos管。
3)gate電壓的峰值限制
4)輸入和輸出的電流限制
5)通過使用合適的電阻，可以達到很低的功耗。
6)pwm訊號反相。nmos並不需要這個特性，可以通過前置乙個反相器來解決。
上文多次提到了圖騰柱，這裡再給大家解釋何為圖騰柱。
圖騰柱就是上下各乙個電晶體，上管為npn，c極接正電源，下管為pnp，e極接負電源，注意，是負電源，是地。兩個b極接到一起，接輸入，上管的e和下管的c接到一起，接輸出。用來匹配電壓，或者提高io口的驅動能力。
正如上面電路的分析，mos管使用涉及到的知識點非常多，希望大家正確規範使用mos管，發揮其最大的價值。
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