上一節我們講完了kane基下的8帶模型，也闡述了為什麼大家在實際中遇到的各種不同形式。如果考慮實際的半導體器件或者發光問題，實驗工作者經常會遇到應力的問題。實際的材料總是有一定的應力。怎麼考慮應力，這是乙個很複雜的問題。尤其是結合
事實上，應力作為乙個重要的半導體能帶工程的調控手段，學術界和半導體工業界對應力都有深入的研究。目前的cmos技術，已經不單是用si做電晶體了，更多的是用應變的sige合金。通過應力改變能帶和載流子的有效質量，從而提高器件的遷移率。對於光電子器件，應力改變了光躍遷的強度以及對應的吸收波長。這就意味著可以用來製作波長可調的探測器或者雷射器。接下來，我們詳細的展開。
晶體中的應變是由形變勢產生的，其定義來自對晶格的相對改變。簡單得說，以乙個二維晶格為例，如圖1 ，很容易能推廣到三維晶格。在較小的形變勢下，晶格發生了變化。設沒有形變時的單位晶格向量為
應變係數
是無量綱的，定義了晶格的形變。相應得，二階應變張量
圖 1： （a）沒有形變的晶格 （b）形變以後的晶格
假設晶格中的某一點的座標為
，在應力地作用下，這個點的座標變為
。在這更一般的情形下，應變張量可以寫成
其中 是沿
方向的晶格偏移。公式（2）中的應變張量是對稱的，即：
這六個應力分量
定義了完整的應變。
參考文獻
yongke sun, scott e. thompson, toshikazu nishida, strain effect in semiconductor , springer, 2010.
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