其實mos管乙個esd敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，又因在靜電較強的場合難於洩放電荷，容易引起靜電擊穿。而靜電擊穿有兩種方式，電壓型及功率型。飛虹mos管廠家今天要分享的電壓型靜電擊穿的特點。
電壓型擊穿，即mos管柵極的薄氧化層發生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路，它的特點是：
(1)穿通擊穿的擊穿點軟，擊穿過程中，電流有逐步增大的特徵，這是因為耗盡層擴充套件較寬，產生電流較大。另一方面，耗盡層展寬大容易發生dibl效應，使源襯底結正偏出現電流逐步增大的特徵。
(2)穿通擊穿的軟擊穿點發生在源漏的耗盡層相接時，此時源端的載流子注入到耗盡層中，被耗盡層中的電場加速達到漏端，因此，穿通擊穿的電流也有急劇增大點，這個電流的急劇增大和雪崩擊穿時電流急劇增大不同，這時的電流相當於源襯底pn結正嚮導通時的電流，而雪崩擊穿時的電流主要為pn結反向擊穿時的雪崩電流，如不作限流，雪崩擊穿的電流要大。
(3)穿通擊穿一般不會出現破壞性擊穿。因為穿通擊穿場強沒有達到雪崩擊穿的場強，不會產生大量電子空穴對。
(4)穿通擊穿一般發生在溝道體內，溝道表面不容易發生穿通，這主要是由於溝道注入使表面濃度比濃度大造成，所以，對nmos管一般都有防穿通注入。
(5)一般的，鳥嘴邊緣的濃度比溝道中間濃度大，所以穿通擊穿一般發生在溝道中間。
(6)多晶柵長度對穿通擊穿是有影響的，隨著柵長度增加，擊穿增大。而對雪崩擊穿，嚴格來說也有影響，但是沒有那麼顯著。
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