下面的電流源偏置電路究竟哪個結構是對的？幾乎每個模擬ic課程都會講這個例子，可是始終有人搞不清楚。
常見的電流源偏置電路
在介紹gm/id的積體電路設計方法時，有乙個例項就是設計乙個簡單的電流源偏置，關於電流源偏置的原理也在其中仔細推導。
問題很簡單：假設所有mos管都工作在飽和區，nmos尺寸比例如圖中標註所示(k>1)，那麼上圖中哪個電路工作的更好，給出合理的理由？
有兩個關於該電路的推導，分別是輸出電流表示式與兩個nmos跨導的比值，這兩個結論會在後面用到。
利用電流表示式，推導出 與 的跨導比值為：
對於初學者來說乍一看覺得兩個電路貌似一樣，都是nmos的 電壓差值通過電阻r產生電流，那麼哪個才是正確的呢？
很多同學會在其它地方見到各種各樣的解釋，最終都告訴大家，右邊的電路才是可以穩定工作的。
無外乎兩種說法，第一種說法：圖(a)中是正反饋，圖(b)中是負反饋；第二種說法：兩個圖中電路都是正反饋，不過圖(a)中反饋係數大於1，圖(b)中反饋係數小於1。
以上兩種說法到底哪種是正確？回答這個是需要具體計算和推導的。
從電流角度理解該電路的反饋特性
從電流角度理解上面偏置電路的時候首先要有乙個認識：對於偏置電路中尺寸比為k:1的 和 ， 接成源極負反饋的形式時，兩個nmos的 比值為： .
經過上面兩個過程，可見電流通過環路之後被放大了 倍，該電路是乙個正反饋，如果 ，那麼該電路反饋係數大於1(顯然成立)。
經過上面兩個過程，可見電流通過環路之後被縮小了 倍，該電路是乙個正反饋，如果 ，那麼該電路反饋係數小於1(顯然成立)。
通過上面的兩個簡單分析，可以得到結論：上面兩個圖中電路都是正反饋，不過圖(a)中反饋係數大於1，圖(b)中反饋係數小於1。
從電壓角度理解該電路的反饋特性
以上從電流角度的理解沒有詳細的推導，如果還不能說服你，那麼可以閱讀以下具體的環路增益推導過程，假設按照圖中標註斷開環路，並加入小訊號干擾，計算環路增益。
第一部分：由 柵極到 柵極的共源極放大器增益：
第二部分：由 柵極到 柵極的共源極放大器增益：
所以上面電路的環路增益為： 可見該電路是乙個正反饋，如果 ，那麼該電路反饋係數大於1(顯然成立)，所以該電路無法穩定工作。
第一部分：由 柵極到 柵極的共源極放大器增益：
第二部分：由 柵極到 柵極的共源極放大器增益：
所以上面電路的環路增益為：
可見該電路是乙個正反饋，如果 ，那麼該電路反饋係數小於1(顯然成立)，所以該電路可以穩定工作。
通過上面的環路增益求解，可以得到結論：上面兩個圖中電路都是正反饋，不過圖(a)中反饋係數大於1，圖(b)中反饋係數小於1，所以圖(a)電路無法穩定工作，圖(b)中電路可以穩定工作。
電路**驗證
下面通過兩個簡單的電路**對比，驗證計算結果的正確性，為了利用之前的電路，這裡採用pmos結構電流源偏置電路。
按照上面推導結果，結合原理圖中器件的尺寸比值，發現理論計算與**結果十分吻合，以上是關於電流源偏置電路的討論和結論。
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