cp
ftwat
cp是把壞的
die挑出來，可以減少封裝和測試的成本。可以更直接的知道
wafer
的良率。
ft是把壞的
chip
挑出來；檢驗封裝的良率。
現在對於一般的
wafer
工藝，很多公司多把
cp給省了；減少成本。
cp對整片
wafer
的每個die
來測試而
ft則對封裝好的
chip
來測試。
cppass
才會去封裝。然後
ft，確保封裝後也
pass
wat是
wafer acceptance test
，對專門的測試圖形(
test key
)的測試，通過電引數來監控各
步工藝是否正常和穩定；cp是
wafer level
的chip probing
是整個wafer
工藝，包括
backgrinding
和backmetal
if need
對一些基本器件引數的測試，如vt
閾值電壓)
rdson
(導通電阻)
bvdss
源漏擊穿電壓)
igss
(柵源漏電流)
idss
(漏源漏電流)等，一般測試機台的電壓和功率不會很高；ft是
packaged chip level
的final test
，主要是對於這個
cp passedic或
device
晶元應用方
面的測試，有些甚至是待機測試；
pass fp
還不夠，還需要做
process qual
和product qual
cp測試對
memory
來說還有乙個非常重要的作用，那就是通過
mra計算出
chip
level
的repair address
，通過laser repair將cp
測試中的
repairable die
修補回來，這樣保證了
yield
和reliability
兩方面的提公升。
cp是對
wafer
進行測試，檢查
fab廠製造的工藝水平
ft是對
package
進行測試，檢查封裝廠製造的工藝水平
對於測試項來說，
有些測試項在
cp時會進行測試，在ft
時就不用再次進行測試了，
節省了ft
測試時間；但是有些測試項必須在
ft時才進行測試(不同的設計公司會有不同的要求)
一般來說，
cp測試的專案比較多，比較全；
ft測的專案比較少，但都是關鍵專案，條件嚴
格。但也有很多公司只做
ft不做
cp(如果
ft和封裝
yield
高的話，
cp就失去意義了)
在測試方面，
cp比較難的是探針卡的製作，並行測試的干擾問題。
ft相對來說簡單一點。
還有一點，
memory
測試的cp
會更難，因為要做
redundancy analysis
，寫程式很麻煩。
cp在整個製程中算是半成品測試，目的有
個，個是監控前道工藝良率，另乙個是降低
後道成本(避免封裝過多的壞晶元)
，其能夠測試的項比
ft要少些。最簡單的乙個例子，碰
到大電流測試項
cp肯定是不測的(探針容許的電流有限)
，這項只能在封裝後的
ft測。不
過許多項
cp測試後
ft的時候就可以免掉不測了
(可以提高效率)
所以有時會覺得
ft的測
試項比cp
少很多。
應該說wat
的測試項和
cp/ft
是不同的。
cp不是製造(
fab)測的！而cp
的專案是從屬於
ft的(也就是說
cp測的只會比
ft少)
，專案完全一樣的；不同的是
卡的spec
而已；因為封裝都會導致引數漂移，
所以cp
測試spec
收的要比
ft更緊以確保最
終成品ft
良率。還有相當多的dh把
wafer
做成幾個系列通用的
die在
cp是通過
trimming
來定向確定做成其系列中的某一款，
這是解決相似電路節省光刻版的最佳方案；
所以除非你
公司的wafer
封裝成device
是唯一的，且
wat良率在
99%左右，才會盲封的。
據我所知盲封的
dh很少很少，風險實在太大，不容易受控。
watwafer level
的管芯或結構測試
cpwafer level
的電路測試含功能
qa 晶元測試 晶元測試術語介紹CP FT WAT
cp ft wat cp是把壞的die挑出來，可以減少封裝和測試的成本。可以更直接的知道wafer 的良率。ft是把壞的chip挑出來 檢驗封裝的良率。現在對於一般的wafer工藝，很多公司多把cp給省了 減少成本。cp對整片wafer的每個die來測試 而ft則對封裝好的chip來測試。cp pa...
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