新興的記憶已經存在了數十年。儘管有些人已經發現嵌入式技術在商業上取得了一定程度的成功，但它們也落後於離散儲存器的高價效比替代方案。儘管具有更高的效能，耐用性和保留性，或者降低了功耗。
磁阻隨機訪問儲存器（mram）最早於2023年代開發，並被推廣為通用儲存器。與其他儲存技術不同，mram將資料儲存為磁性元素，而不是電荷或電流。在效能方面由於使用足夠的寫入電流，因此mram與sram類似。但是這種依賴性也妨礙了它以更高的密度與dram和快閃儲存器競爭的能力。
儘管諸如everspin之類的mram先驅已經在離散應用的嵌入式市場中取得了一些成功，甚至證明它可以處理汽車應用的極端環境，但mram仍然是乙個利基儲存器。
類似電阻式隨機訪問儲存器（reram）尚未成為可行的分立儲存器。甚至它在嵌入式市場上的成功也受到了限制。與傳統的嵌入式快閃儲存器技術相比，它的吸引力包括更低的功耗，更少的處理步驟和更低的電壓。它還具有太空和醫療應用的輻射耐受性。
在過去的二十年中，數家公司一直在開發reram技術，但是該方法仍然面臨整合和可靠性方面的挑戰。像磁阻電阻一樣，reram**商在開發嵌入式reram器件方面取得了一些進展，以增加可用於分立開發工作的收入。weebit nano與研究合作夥伴leti合作，以使分立的reram在商業上可行。同時繼續探索該記憶在神經形態和ai應用中的潛力。
weebit nano的reram技術使用了兩個金屬層，中間有乙個氧化矽層，由可用於現有生產線的材料組成。
其reram技術的吸引力在於，它利用了可用於現有生產線的材料。
一旦fram和mram及reram通過資格審查，這將在嵌入式應用程式中創造乙個機會。mram和reram仍然是新興的儲存器，與此同時其客戶正在意識到對快速，廉價記憶體（如dram）的需求。這是一種廉價的記憶體擴充套件功能。它允許低成本和記憶體密集型應用程式。
傳統儲存器和新興儲存器應用
舊版儲存不再是使用壽命短的低端裝置，因為主要 商都將精力集中在最新和最重要的產品上。隨著越來越多的智慧型裝置和融合了ai的邊緣計算以及呈指數增長的物聯網，持久 可能是這些根深蒂固的記憶的更好標籤。過去的dram不再用於較小的系統，因為它們需要dram控制器。sram進入了記憶體需求小的系統。dram...
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everspin非易失性儲存器中mram的潛在用途 與電子電荷儲存的資料可能會因使用情況，時間和溫度而洩漏和擊穿的相反，mram 磁性隨機訪問儲存器 使用1個電晶體 1個磁性隧道結 mtj 體系結構作為mtj的磁態作為資料儲存元素。由於mram將資料儲存為磁性狀態，因此與現有的非易失性儲存器相比，它...
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