fram器件提供非易失性儲存，用10年的資料儲存時間，在與熟悉的快閃儲存器和eeprom替代所需的功率的一小部分。利用現有的基於fram儲存器和mcu器件，工程師們可以放心地在他們儘管間歇性的斷電操作多年，並長期保持資料的能力建立這些強大的裝置進入低功耗能量收集應用程式。
裝置配置
設計人員可以找到fram儲存器支援並行，spi序列或i2c / 2線序列介面。例如，連同其平行的1mb mb85r1001a fram，富士通提供1mb的spi序列器，mb85rs1mt，使設計人員能夠採用典型的spi主/從配置（圖1）裝置的任意數字。除了在較低的電源電壓比他們的同行並行操作，序列fram器件還提供了適用於空間受限的設計更小的封裝選項。例如，rohm半導體32k spi序列mr45v032a是在8引腳塑料小外形封裝（sop）只有0.154測量「和3.90公釐寬度可用。
富士通mb85rs1mt的影象
圖1：裝置，如富士通mb85rs1mt允許使用熟悉的主/從配置為spi-配備的mcu - 或使用使用裝置的si和so埠，用於非基於spi的設計，簡單的匯流排連線解決方案。 （富士通半導體提供）
fram技術的優勢擴充套件到微控制器，如德州儀器msp430fr mcu系列具有片上fram。在微控制器，fram的高速執行速度整體處理，允許寫入非易失性儲存器進行全速而不是強迫mcu進入等待狀態或阻塞中斷。 ti的fram微控制器系列的延伸，如msp430fr5739其全功能msp430fr5969系列裝置。最小的裝置在msp430系列中，msp430fr5739是乙個24引腳2×2晶元尺寸的球柵陣列（dsbga）可用，但包括5個定時器，乙個12通道10位adc，以及直接儲存器訪問（dma）用於最小化在主動模式下的時間。
ti的msp430fr5969是該公司低功耗mcu具有實質性晶元fram儲存（圖2）。在主動模式下，mcu僅需要為100μa/ mhz有源模式電流和450 na的待機模電流與實時時鐘（rtc）啟用。在這一系列的裝置包括乙個全面的外設和乙個16通道12位模擬 - 數字轉換器（adc），其能夠單層或差分輸入操作。這些mcu還配備了256位高階加密標準（aes）加速器和智財權（ip）封裝模組，用於保護關鍵資料。
德州儀器msp430fr5969 mcu的影象
圖2：德州儀器msp430fr5969 mcu結合周邊的全套帶有片上fram儲存器，而只需要100μa/ mhz有源模式電流和顯著少帶了多個低功耗模式（lpm）。 （德州儀器提供）
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所謂編址，就是使用微控制器位址匯流排，通過適當的連線，最終達到乙個位址唯一對應乙個選中單元的目的。進行儲存器擴充套件時，可供使用的編址方法有兩種 線選法和解碼法。線選法 線選法就是直接以系統的位址作為儲存晶元的片選訊號，為此只需把高位位址線與儲存晶元的片選訊號直接連線即可。特點是簡單明瞭，不需增加另...
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書名 8051微控制器資料傳輸介面擴充套件技術與應用例項 isbn 7115128944 定價 楊金巖 鄭應強 譯者 出版社 人民郵電 出版商 出版日期 2005 01 01 開本 16開 裝幀 平裝 字數580 頁數 371 內容簡介 第1章 微控制器資料傳輸介面概述 11.1 微控制器並行資料介...
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