狀態密度g，就是在能帶中能量e附近每單位能量間隔內的量子態數。
能量為e的乙個量子態被電子佔據的概率，f(e)稱為電子的費公尺分布函式，它是描寫熱平衡狀態下，電子在允許的量子態上如何分布的乙個統計分布函式。
費公尺能級與溫度，半導體型別，雜質含量以及能量零點的選擇有關。是一參考能級標誌著電子填充能級的水平。半導體的費公尺能級一般在禁帶內。處於熱平衡狀態的系統有統一的化學勢，所以處於熱平衡狀態的電子系統有統一的費公尺能級。
在e-ef，遠大於k0t時泡利原理失去作用，費公尺分布函式，成為波爾茲曼分布函式。
服從玻爾茲曼統計率的電子系統成為非簡併性系統，當ef進入導帶或價帶，此時導帶底和價帶頂上的量子態基本上都被佔據，需要考慮泡利不相容原理，只能使用費公尺分布，稱為載流子的簡併化。此時半導體稱為簡併半導體。
簡併化條件，與雜質濃度，溫度和雜質電離能有關。雜質電離能越小，使雜質濃度較小時就已發生簡併化。雜質濃度越大，越容易發生簡併，發生簡併的溫度範圍越寬。簡併時雜質沒有充分電離。
電子和空穴的濃度乘積與費公尺能級和所含雜質無關。只與半導體材料的型別(禁帶寬度)，和溫度有關。
本徵半導體就是沒有雜質和缺陷的半導體。本徵激發就是當半導體的溫度大於零k時，就有電子從價帶激發到導帶去，價帶中產生空穴，導帶中產生自由電子。本徵費公尺能級一般在禁帶中心，也有特殊的如銻化銦，在禁帶中上。本徵載流子的濃度對於同一材料來說，溫度越高，濃度越高；不同材料在相同溫度下，禁帶寬度越大，載流子濃度越小。
在重摻雜的半導體中雜質濃度很高，雜質電子可能在雜質原子之間產生共有化運動，使孤立的電子能級形成能帶，通常稱為雜質能帶。雜質能帶中的雜質電子，可以通過雜質原子之間的共有化運動參加導電的現象稱為雜質帶導電。
簡併情況下，施主能級擴充套件為乙個能帶並進入導帶中宇導帶相連，形成了新的簡併導帶使導帶的狀態密度發生了變化，簡併導帶的尾部深入到禁帶中稱為能帶邊緣的延伸。
半導體物理複習總結（五） 非平衡載流子
熱平衡狀態是指在一定溫度下，半導體中的載流子濃度一定。載流子的產生與復合相等，載流子的濃度乘積一定。統一的費公尺能級是熱平衡狀態的標誌。非平衡狀態是指在外界因素的影響下，半導體平衡狀態受到微擾，內部的載流子濃度產生漲落。復合是電子和空穴被洇滅或消失的過程。產生是電子和空穴被建立的過程。非平衡載流子是...
半導體物理複習總結（四） 半導體導電性
電子在電場力作用下的定向運動是漂移運動。熱運動是無規則的，雜亂無章的運動。遷移率表示單位場強下電子的平均漂移速度。散射指載流子在半導體中運動時與熱振動的晶格原子或電離的雜質離子作用，載流子的速度大小和方向發生改變。兩次連續散射間自由運動的平均路程稱為平均自由程，平均時間稱為平均自由時間。散射率是平均...
半導體複習總結
討論半導體性質隨著外面因素變化而變化的規律 長程有序晶體 短程有序非晶體 化學鍵 組成晶體原子的原子 離子 之間的結合力 1 原子的負電性 衡量原子對核外電子 價電子 束縛能力的強弱的量 2 電離能 使得原子失去價電子所必須的能量 3 親和能 使乙個中性原子獲得乙個價電子而形成負離子所釋放的能量 4...