固態硬碟的速度和記憶體的速度差距

2021-10-06 08:33:51 字數 578 閱讀 8669

記憶體的基本構架和固態硬碟發熱構架完全不同,固態硬碟的儲存晶元是非易失性儲存介質(nvram),也就是沒有電源後內部儲存的資料不會丟失。nand型快閃儲存器為例,它的隨機訪問速度慢,而且寫入資料之前還要對區塊進行擦除,使得寫速度僅有讀取速度的1/2~1/4,這種現象在目前廣泛使用的mlc nand上更加嚴重。

此外,nand的壽命也難以令人滿意,一般slc型nand可以承受10萬次左右讀寫,而mlc型nand則更低。

記憶體是雙倍速率sdram(dual date rate sdrsm,ddr sdram):又簡稱ddr,由於它在時鐘觸發沿的上、下沿都能進行資料傳輸,所以即使在133mhz的匯流排頻率下的頻寬也能達到2.128gb/s。

ddr不支援3.3v電壓的lvttl,而是支援2.5v的sstl2標準。它仍然可以沿用現有sdram的生產體系,製造成本比sdram略高一些,但仍要遠小於rambus的**,因為製造普通sdram的裝置只需稍作改進就能進行ddr記憶體的生產,而且它也不存在專利等方面的問題,所以它代表著未來能與rambus相抗衡的記憶體發展的乙個方向。

記憶體也固態硬碟的區別就是停電了固態硬碟裡的資料不會丟失而記憶體的資料就會消失。而且底層構架不同也就決定了儲存速率的差別。

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