《漲知識啦10-邊緣終端》—p型保護環
本週《漲知識啦》給大家帶來的是邊緣終端系列內容的第三講，在上一講中提到過，當器件中形成平面結時，邊緣位置過強的區域性電場容易導致器件提前擊穿，為此採用場板結構來改善器件邊緣電場。除此之外，還有一種結構同樣可以高效地實現對邊緣電場的改善，提高器件的擊穿電壓，即『p型保護環』（如下圖）。
p型保護環也被稱為浮空場環，不與任何電極相連，主要利用pn結在平衡態下形成的耗盡區，當場環形成的耗盡區與主結形成的耗盡區相連後，便拓寬了主結邊緣位置的耗盡區寬度，從而降低了主結邊緣電場。該結構雖降低了主結邊緣電場，在一定程度上避免了主結的擊穿，但如果場環的引數選取不合理，在場環形成的耗盡區仍然有可能發生擊穿，因此就需選用多級場環的結構（如下圖），通過調整場環視窗的寬度以及場環間間距，逐步消耗表面電場，從而避免器件提前擊穿。且該結構只需在掩膜上設計出場環的視窗，在擴散主結的同時便可形成場環，不必增加工藝步驟，流程簡單，易於實現。
本週的《漲知識啦》就到這裡啦，我們下期再見噢！
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