可靠性指器件或器件的一部分不能或將不能在特定時間內實現特定功能的事件或狀態，往往跟產品本身和外部環境有密切關係。隨著vlsi工藝持續的縮減，工藝引數波動的日益增加，越來越普遍的缺陷給在奈米級的vlsi設計帶來了前所未有的挑戰，極大影響了電路的可靠性。
1、出於低功耗設計的考慮，設計者更傾向於使用更低的電壓，低電壓設計使得特徵尺寸不斷減小，供電電壓持續降低，使得節點關鍵電荷也相應減少；
2、積體電路規模不斷増大，單晶元電路中的節點數成百上千倍增加，使得電路雜訊容限降低；
3、工藝尺寸持續發展，線之間的互連更加緊密，使得串擾的發生率也在增加；
4、日益嚴重的工藝偏差，如橫向的電晶體溝道長度、縱向的柵氧化層厚度、摻雜波動、機械應力等帶來了災難性的積體電路缺陷。
有以下三種錯誤因素會極大影響半導體電路的可靠性：
①硬錯誤：是那些導致電路不可逆變化的錯誤，會使電路永久性失效，如互連電路的開路或者短路錯誤。
②軟錯誤：由瞬態故障造成的錯誤，封裝材料中不穩定同位素產生的α粒子、宇宙福射的低能量中子和封裝材料中的同位素棚-10產生反應等可能會造成軟錯誤的發生。
③時序錯誤：電源電壓的降低和溫度的上公升會使電晶體速度減慢，使觸發器取樣資料時，建立時間或者保持時間不滿足，導致積體電路時序錯誤。其中電路老化也是時序錯誤的一種，因為隨著電路使用時間的増長，電路的延時會逐漸增大，導致電路的工作頻率減小，從而導致電路出現時序違規，使電路輸出錯誤。
SSD資料可靠性問題分析
前幾個月對近兩年facebook和google發表的兩篇ssd故障分析的文章進行了閱讀，並進行了整理。google的在今年的fast會議上發表了 flash reliability in production the expected and the unexpected 在這篇文章中通過收集長達六...
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