積體電路的閘電路基本都是由mos管實現的，相比於電晶體，mos管應用更加廣泛，mos管在模擬電路以及數位電路中應用的區域也不同，下面一一介紹。
注：本文摘自於《fpga之道》
與三極體類似，mos管也具有三個電極，雖然名稱不同，但是使用方式類似，按照對應關係，分別為 源極（符號s，功能類似三極體發射極）、柵極（符號g，功能類似三極體基極）、漏極（符號d，功能類似三極體集電極）。不過與三極體不同的是，mos管是基於金屬-氧化物工藝的，能夠做到更小和高度整合化，且mos管是壓控器件，即通過柵極的電壓控制漏源之間的電流，而不像三極體是通過基極的電流控制發射極、基極之間的電流。除此以外，對於mos管來說，漏、源兩極其實沒有什麼本質區別，不像三極體，發射極和集電極的參雜濃度是有很大不同的。
mos管按照漏源區的半導體特性，也可分為nmos和pmos，並且又可進一步分為增強型和耗盡型兩類。如下即為乙個增強型nmos的結構和符號：
當柵源之間的電壓ugs < vt時，源漏之間的電流ids = 0，因此稱此時管子處於截止狀態，且vt稱為增強型mos管的開啟電壓。
當柵源之間的電壓ugs > vt時，源漏之間開始出現電流，此時，若源漏之間電壓uds < (ugs - vt)，那麼ids將隨著uds的增加而快速上公升，由於ids可隨著uds變化，因此稱此時管子處於非飽和狀態。非飽和狀態時，mos管等效為乙個阻值較小的電阻，且從上圖可以看出，該電阻的阻值與ugs相關，即受ugs控制，所以有時也稱之為可變電阻狀態，與三極體的飽和狀態功能類似。
當柵源之間的電壓ugs > vt，且uds ≥ (ugs - vt)時，uds的變化對ids的影響將會比較小，所以ids將達到飽和，不再增加，因此稱此時管子處於飽和狀態。飽和狀態時，ids直接和ugs相關，這便是壓控電流的原理，所以，為了和三極體對應起來，有時我們也稱mos管的飽和狀態為放大狀態。
在模擬電路中，我們主要關注mos管的飽和狀態（也稱放大狀態），但如果用於數位電路，則主要關注mos的非飽和狀態與截止狀態。如果能夠想辦法讓mos管主要工作於非飽和狀態或截止狀態，那麼mos管將呈現出導通或者截止特性，並可以據此傳遞數字電訊號。
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