也許有人會說，3d nand有什麼好說的，三星早在前年就發布了3d v-nand，就是基於3d tlc設計的，48層，單die容量256gb;此後，sk hynix、東芝/閃迪、intel/美光等豪門都開始涉足3d nand產品。
但需要提醒的是，在這裡談論的是企業級產品市場應用。考慮到頻繁讀寫，以及企業級應用場景對可靠性、穩定性的需求，專業人士指出，這是完全不同的市場。
順便說一句：企業級快閃儲存器產品應用，2d mlc是目前市場主流。
3d nand很低調
不知道有多少人注意到了英特爾最新發布的兩款nvme協議資料中心固態盤：p3320/p3520與d3700/d3600。
這是英特爾首款3d nand以及雙埠nvme固態盤。我一直沒有搞明白：如此重要的產品發布，為什麼英特爾沒有單獨舉辦發布會，而是與英特爾新一代e5 v4至強處理器一起發布，注意力被分散應該是不可避免的。
在英特爾的新聞稿中，對於新產品的介紹也是比較簡單：dc p3320和p3520是首款基於3d nand技術製造的固態盤，針對高密度儲存市場，比較物件是sata固態盤;dc d3700和d3600是首款採用nvme協議**槽pcie 固態盤，可提供關鍵冗餘和故障轉移功能，對比的物件是雙埠 sas 解決方案。
英特爾企業級3d nand固態盤就這樣在近乎悄無聲息的情況下來了，低調得很。
還有nvme和雙埠
無論是3d nand、nvme，還是雙埠，其中任何乙個技術，對於企業級快閃儲存器應用都有近乎里程碑的意義。
首先是3d nand技術，一度被寄予厚望。我們知道，「成本/gb」是影響快閃儲存器推廣應用的致命問題。為此，廠家不得不避而不談：「成本/gb」，而是另闢蹊徑，大肆宣傳快閃儲存器在「iops/成本」上的突出意義。但無論如何，「成本/gb」是快閃儲存器替代磁碟的主要障礙。
為了縮短「成本/gb」的差距，乙個是依靠製程工藝技術，例如2d mlc 16nm技術製造，但如今製程工藝技術已經接近了「天花板」，不僅要大量投資，技術問題也比較複雜。為此依靠3d技術，立體化發展就成為了新選擇，對磁碟來說，3d nand無疑是雪上加霜，被終結的日子不遠了。
其次，nvme也是備受關注的技術。計算和磁碟儲存之間，以往通過sas/sata介面，採用scsi協議交換資料，儘管scsi協議棧會帶來延遲，但在磁碟時代，磁碟屬於慢速裝置，磁碟帶來延遲遠遠高於協議棧，協議棧延遲可以忽略不計。但在快閃儲存器時代，快閃儲存器不僅帶來了高速，同時帶來了低延遲能力。在快閃儲存器時代，scsi協議棧低效、延遲變得不可以接受，所以，nvme替代sas/sata、scsi協議棧就成為了必然。但這是從技術角度，市場方面，sas/sata在什麼時候會被終結，也成為了關注的焦點。
最後，關於雙埠，這一度也是困擾快閃儲存器盤的問題。要不要提供雙埠支援，一度也存在爭論。特別在分布式儲存備受推崇的時代，可以從應用的角度解決可靠性的問題。所以雙埠也值得關注。
但是幾乎在一夜之間，問題就有了答案。
3d tlc，還是3d mlc?
更讓人沒有想到，此次產品發布竟然是基於3d tlc，而不是3d mlc。我們知道，tlc在價效比方面，較之mlc更有競爭力，這就像mlc較之slc一樣。但將tlc應用在企業級產品市場也存在一定的技術難度，除了壽命之外，tlc需要更加複雜的ldpc校驗演算法。去年，美國快閃儲存器峰會期間，pmc發布新控制器技術，宣布支援ldpc，也讓人看到了企業級tlc應用的曙光。此前，戴爾雖然也在儲存陣列中使用tlc固態盤，但還沒有形成規模。應該說3d也是非常複雜的技術，似乎mlc更穩妥。所以，上來就選擇tlc，讓人真的領略到了什麼是「技術兇猛」!
為什麼是3d tlc?為此我也詢問了英特爾的技術專家，告之：3d技術往往會採用上一代的製程工藝技術，如：22nm～40nm製程技術(順便說一句，這也進入了國產半導體製造的火力範圍，所謂大儲存產業基於此而誕生)，在這個製程工藝範圍，tlc是更加合理的選擇，搭配新型快閃儲存器控制器技術，3d nand tlc就這樣誕生了。
實際上，3d tlc也好，nvme也好，這並不是使用者關心的，從使用者的角度其實很簡單：效能和成本。對此，新的產品會有怎樣的表現呢?
效能不用多說，已經說了很多。關鍵在於成本。考慮到商業的因素，**並不是完全透明的。但對此，英特爾的專業人士給了乙個概念：新產品的售價，與現有sas 2d mlc的**水平相當。當然，採取這樣的策略會有很多的考慮。
小結如今，使用者的問題來了。對於3d nand、nvme使用者將如何選擇呢?僅僅從效能、成本、可靠性來考慮是不行的。使用者需要知道趨勢和潮流。在採購的時候，3d還是2d?tlc還是mlc?sas/sata還是nvme?雙埠，這都是應該詢問的問題。對嗎?
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