在這個網際網路時代，遊戲、電影、**等資料越來越大，硬碟容量將會面臨著前所未有的挑戰。雖然傳統的機械硬碟可以解決容量問題，但是速度太慢，體驗糟糕，並不是最優的個人儲存解決方案。我們渴求大容量的ssd，不過超過tb大容量ssd動不動就幾千元的售價，對於支付能力有限使用者實際上沒有意義。ssd的成本主要**於快閃儲存器，在tlc快閃儲存器能夠實現tb容量可惜**未能降下來。只有不斷開發新型別的快閃儲存器，解決容量與**的矛盾，才能讓ssd真正在大資料時代發揮應有作用。
這時，qlc 快閃儲存器就應運而生， 目前，東芝和西數先後宣布成功開發基於四位元單元3d nand快閃儲存器晶元，即qlc快閃儲存器，這也意味著qlc ssd將要來臨。那麼，它與tlc快閃儲存器又有什麼區別，能否取代tlc成為ssd主流快閃儲存器之選？
先來了解一下什麼是tlc 以及qlc快閃儲存器？
tlc = trinary-level cell，即3bit/cell（每個cell單元儲存3個資料，有8個狀態，具體如上圖，有八種不同電壓狀態）。主要特點：成本低，容量大，但速度慢，壽命短，約500-1000次擦寫壽命。但隨著技術的成熟，壽命問題已經得到改善（約1500-2000次擦寫壽命），並成為目前快閃儲存器顆粒中的最主流產品。
qlc=quad-level cell，即4bit/cell（每個cell單元儲存4個資料，有16個狀態，具體如上圖，有十六種不同電壓狀態）。相比於tlc來說，成本比更低，容量更大，而可靠、穩定性及壽命則更差些（此前幾年預計的理論可擦寫100-150次），不過目前東芝宣稱，他們的qlc nand擁有多達1000次左右的p/e程式設計擦寫迴圈，幾乎已經和tlc快閃儲存器旗鼓相當。
注：每cell單元儲存資料越多，單位面積容量就越高，但同時導致不同電壓狀態越多，越難控制，導致顆粒穩定性越差，壽命低，利弊都有。
不得不承認，tlc快閃儲存器的出現大大提公升了ssd的容量，並在一定程度上降低了ssd的**。不過，依舊沒解決ssd**的難題，大容量ssd仍舊貴。小容量ssd+大容量hdd的儲存方案，終究沒有單純大容量ssd來得好。
當qlc 快閃儲存器的誕生，也許既廉價又擁有超大容量的ssd，從理想變為現實。
qlc與tlc之間的區別：
1、壽命
前段時間，東芝稱其qlc nand擁有多達1000次左右的p/e程式設計擦寫迴圈，打破100-150次魔咒，可以與tlc快閃儲存器顆粒壽命想媲美。如果真的達到這個標準，那麼qlc ssd就能夠「理直氣壯」進入市場了。
1000次壽命,對於普通人來說,也沒有那麼可怕。一般人平均每天的寫入量很少能超過10gb，那麼我們就假設是10gb，120gb qlc ssd，寫入壽命達到120 tb。假設寫入放大係數則假定為3，甚至5，那麼三年之內，很難寫壞它。且qlc快閃儲存器擁有高容量，也意味著其在qlc驅動器中可通過超額配置以延長產品本身的有效壽命。
目前tlc ssd在質保期普遍達到3年，有的質保期甚至達到5年。那麼qlc 壽命問題又有什麼好擔心？
2、穩定性
qlc快閃儲存器是儲存4位電荷，有16種狀態，而tlc儲存3位電荷，有8種狀態 。這意味著qlc快閃儲存器單位儲存密度更大，是tlc的2倍，單顆晶元可達到256gb甚至512gb。但是，也因如此，qlc快閃儲存器的電壓更難控制，干擾更複雜，而這些問題都會影響qlc快閃儲存器的效能、可靠性及穩定性。不過tlc的這個活生生的案例在前面，解決起來會更容易一些。
3、成本
雖然qlc只是在tlc的電子單元內增加了乙個位元位，但其所要求的技術含量卻非常高。因為不僅要在原有的基礎上增加乙個位元單位，還需要雙倍的精度才能保有足夠高的穩定性以及效能。不過，一旦解決了所有技術上的難題，隨著ssd容量的大幅增加，其所需要的單位成本也會相應降低。
4、容量
東芝的qlc的技術已經可以實現每快閃儲存器顆粒768gb（96gb）的容量，相比之tlc顆粒的 512gb有了更大提公升。如果採用16顆粒封裝，那麼可以實現單顆晶元封裝達到1.5tb的容量，容量達到目前單顆最大。如果一塊ssd採用八顆這樣的新品，總容量可以達到驚人的12tb。
雖說目前qlc 快閃儲存器不過剛正式出現在人們的視線中，其在速度、壽命、穩定性等方面可能會比tlc差，但是更便宜的成本、更大容量的優勢是無法忽視的。隨著技術的不斷發展和成熟，qlc就像當年tlc一樣從不被接納到廣泛認可也是早晚的事情.
其實不管是tlc還是qlc，只要**夠便宜，容量夠大，速度夠快，壽命有保障，總會獲得消費者的喜歡，贏得屬於自己的市場份額。
而對於hdd來說，qlc的出現將帶來更大的威脅。或許真正qlc ssd普及之時，才是hdd 跟我們say byebye之時。
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NOR型快閃儲存器與NAND型快閃儲存器的區別
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NOR與NAND快閃儲存器比較
nor flash nand flash onenand flash 位址線和資料線分開 介面時序同 sram,易使用 位址 資料線復用，資料位較窄 onenand 可看作nor 和nand 技術的一種混合。從本質上來講，乙個單獨的 onenand 晶元整合了乙個 nor快閃儲存器介面，nand 快...