洛侖茲力（lorentz force）作用，導致電荷偏轉累積，形成霍爾電勢。
uh = kh·i b cosθ
霍爾靈敏度：kh
根據理論推導可知，要獲得較高的霍爾電壓，就要求霍爾元件的材料有較高的電阻率和較高的載流子遷移率。通常，金屬材料具有很
高的載流子遷移率，但其電阻率很小；而絕緣材料的電阻率極高，但
其載流子遷移率極低；顯然，只有半導體材料最適合製作霍爾元件。
霍爾元件補償
右圖為零磁通式（磁平衡式，反饋補償式）霍爾電流感測器。
平衡時n1 i1=n2 i2
原邊副邊電流產生的磁場方向相反，大小相等，磁芯中磁通幾乎為零。
這種測量方法不會使磁芯飽和也沒有渦流損耗。
負載電流和負載電壓，分別與加在霍爾元件的磁感應強度、激勵電流成正比，顯然負載功率正比於霍爾電壓
交流放大：交流輸入訊號經過磁芯上的繞組，引起磁隙中的磁場變化，導致磁敏電阻rm2電阻變化，進而導致a點電壓的變化，通過電容c將交流部分耦合到下一級。rm1為了減小磁敏電阻溫漂的影響
其中，兩個磁敏三極體組成差分電路，電容反饋可消除雜訊和提高穩定性。此電路可檢測 0.1 t 左右的微弱磁場。（其中，乙個磁敏
三極體在待測磁場中，另乙個不在。）
敏感器件 壓敏器件
這裡的壓是電壓的意思 vdr voltage dependent resistor 主要材料 晶介層 氧化鋅 100左右，允許電流大 應用廣 碳化矽 3 7 耐壓上萬伏 碳酸鋇 20，電壓在幾伏以下，價低壽命長 vdr 當加壓達到一定值時，發生齊納擊穿，電阻驟降。伏安特性 抑制浪湧，如雷電浪湧，電感...
敏感器件 熱敏器件
正溫度係數 負溫度係數 可以從振動碰撞或能帶躍遷對阻值的影響的角度去分析 熱敏電阻 一般金屬為正溫度係數，溫度越高電阻越高，因為高溫會加速金屬中自由電子的熱運動，對定向的流動會產生阻礙。而半導體材料一般為負溫度係數，因為半導體中本身自由電子比較少，溫度公升高會使部分電子掙脫共價鍵的束縛變成自由電子。...
有源器件和無源器件對比
1 是兩端口器件 2 是線性元件 r l c為常數 只能做線性處理 且只能縮小不能進行放大 結論 兩端口線性元件不能放大 兩端口為根本原因 因為輸出迴路始終包含在輸入迴路裡面。3 不需要提供靜態偏置 4 作用 給有源器件提供工作點 active 1 除了pn結，都是三埠及多埠器件 2 通常是非線性的...