這裡的壓是電壓的意思 （vdr：voltage dependent resistor)
主要材料（晶介層）：氧化鋅（ α100左右，允許電流大 應用廣）、碳化矽（ α3~7 耐壓上萬伏）、碳酸鋇（ α20，電壓在幾伏以下，價低壽命長）
vdr
當加壓達到一定值時，發生齊納擊穿，電阻驟降。
伏安特性
抑制浪湧，如雷電浪湧，電感電流和電容電壓引起的暫態衝擊
右圖：當電路正常工作時，rv電阻很大，幾乎沒有電流，所以零序互感器l1 l2中電流大小相等，方向相反，處於平衡態。因此l3中沒有感應電流，rp沒有壓降，vs截止。當電路過壓時，rv上電流突然增加，l2上電流減小，平衡被打破，l3中感應到電流，vs被觸發導通，產生大電流致熔絲fu熔斷，從而切斷電源。
電感上的磁通，在開關開啟瞬間消失，磁通變化率非常大，產生高壓。開關略微開啟時，相當於串聯了乙個電容，所以會產生高壓放電。如果在開關處併聯乙個壓敏電阻，可使過壓通過壓敏電阻釋放，保護了開關。
敏感器件 磁敏器件
洛侖茲力 lorentz force 作用，導致電荷偏轉累積，形成霍爾電勢。uh kh i b cos 霍爾靈敏度 kh 根據理論推導可知，要獲得較高的霍爾電壓，就要求霍爾元件的材料有較高的電阻率和較高的載流子遷移率。通常，金屬材料具有很 高的載流子遷移率，但其電阻率很小 而絕緣材料的電阻率極高，但...
敏感器件 熱敏器件
正溫度係數 負溫度係數 可以從振動碰撞或能帶躍遷對阻值的影響的角度去分析 熱敏電阻 一般金屬為正溫度係數，溫度越高電阻越高，因為高溫會加速金屬中自由電子的熱運動，對定向的流動會產生阻礙。而半導體材料一般為負溫度係數，因為半導體中本身自由電子比較少，溫度公升高會使部分電子掙脫共價鍵的束縛變成自由電子。...
有源器件和無源器件對比
1 是兩端口器件 2 是線性元件 r l c為常數 只能做線性處理 且只能縮小不能進行放大 結論 兩端口線性元件不能放大 兩端口為根本原因 因為輸出迴路始終包含在輸入迴路裡面。3 不需要提供靜態偏置 4 作用 給有源器件提供工作點 active 1 除了pn結，都是三埠及多埠器件 2 通常是非線性的...