三星為攀上全球半導體龍頭，不惜砸重金拼了，傳今年資本支出將大幅加碼逾十萬億韓元。
新韓投資（shinhan investment corp）日前發布報告**，三星今年半導體資本支出將擴增至 24.5 萬億韓元（約 219.5 億美元），較 2016 年成長 85.6%，且將超越 2015 年的 14.7 萬億韓元成為三星史上新高。（businesskorea.co.kr）
儲存器目前供不應求，也是三星今年布局的重點，預料將佔據資本支出的一半左右。據新韓分析師**，光是 nand 快快閃儲存器儲器，三星就將砸下 12.05 萬億韓元（約 108 億美元），非儲存器部門（包含晶圓代工）則佔 8 萬億韓元。
三星 nand 快快閃儲存器儲器量產技術領先，分析師看好三星藉由新增投資，可趁機擴大市占率。市調機構 dramexchange 資料顯示，三星 2016 年第四季 nand 儲存器營收市佔達 37.1%，遙遙領先第二名東芝的 18.3%。
市調機構 ic insights 月初公布報告指出，如果儲存器持續漲價，三星最快於第二季取代英特爾成為全球半導體龍頭。
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