三星推16gb nand，半導體業迎來轉折關頭
三星電子半導體業務部的總裁兼ceo黃昌圭(chang-gyu hwang)日前表示，半導體產業正在進入「快閃儲存器爆發時代」(flash rush era)。在這個時代中，固態記憶體將促進和改變電子產品。
黃昌圭在三星電子的16gb nand快閃儲存器發布會上表示，半導體產業在把記憶體用於資料儲存方面處於重要轉折關頭，nand快閃儲存器的進步將導致需求增長和「快閃儲存器爆發時代」的來臨，後者正在改變消費者和企業使用便攜電腦及電子技術的方式。
三星電子的16gb器件是目前業界密度最高的nand快閃儲存器，它採用50奈米工藝製造，計畫在2023年下半年投入批量生產，使用所謂的3d電晶體結構技術。每個新型晶元包含有164億個電晶體，每個電晶體大小在1至2微公尺。目前快閃儲存器晶元製造使用的是80奈米技術。
「nand的未來正在為數字終端產品的設計發生不可逆轉的轉變於ɑ。蛭狽and實際上成了任何便攜產品的關鍵儲存**。」hwang把面向資料儲存應用的nand技術不斷增長的重要性與2023年的淘金熱相提並論，後者幾乎在一夜之間在全球永久地改變了**的價值和重要性。
「nand快閃儲存器最終將取代其它儲存**，特別是那些用於移動產品中的儲存**，掀起一波『快閃儲存器熱』，成為移動電子時代的支柱，nand需求繼續以前所未有的速度急劇增長。」
三星表示，16gb快閃儲存器的面世，將進一步推動nand在便攜數字應用中成為主要儲存**。當三星在2023年預言儲存**將發生轉變時，市場調研公司**2023年nand快閃儲存器銷售額將達17億美元左右。三星表示，目前預計今年全球nand快閃儲存器銷售額將高達94億美元。
此文章源自《電子工程**》**：
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