主要講下mos器件的速度飽和，第一次接觸這個概念，網上的文章很少，找了好幾篇看，記錄下。原文學習可參考數字積體電路（第二版），裡面62、63頁有專業的解釋。這裡提取簡明扼要的東西。
一般而言，載流子速度正比於電場，斜率是載流子的遷移率；可當延溝道電場達到臨界值（某個根據散射效應計算的值）時，載流子的速度將會趨於飽和，稱為速度飽和效應。此時的載流子速度不會隨著電場增大而增大。
有很多要說明的東西：
01 一般這種現象發生在短溝器件中。
02 如果不考慮速度飽和的情況，管子在vgs-vth
05 電子和空穴的飽和速度大致相同，是10^5m/s。
06 速度飽和發生的臨界電場強度取決於摻雜濃度和外加的垂直電場強度。
問題：課本中有句話，翻譯嚴重影響閱讀，可以去看看原著，根本沒有說，在這種情況下，2伏左右電壓就可以飽和，這個2雖然合理，但卻想不到怎麼計算的。後面一頁是原著。
速度飽和效應發生在這樣乙個場景下：首先mos管工作在飽和saturation區(vds>vgs-vth)，可是此時的vgs-vth太大了。
說明：將二極體接法的管子掃瞄vgs，管子依次經歷，截止區，弱反型區，強反型區和速度飽和區。 對於工作在飽和區的管子其溝道電場強度為（vgs-vth）/leff，該電場太大，則溝道載流子速度飽和了。 大vds將把溝道截止點推向源區，使得leff變小，但真正決定因素還是vgs-vth。
vgs-vth小於80mv時，飽和時管子工作在弱反型，100mv-400mv左右工作在強反型，400mv+則速度飽和了（前提：管子工作在飽和區vds>vgs-vth）。
下圖用於解釋速度飽和效應，截止點的電勢為vgs-vth。推導電流公式時，用的是單位長度平均載流子濃度乘以速度的方式，省去了繁瑣的積分方法，當電場強度（vgs-vth）/leff超過臨界值時，溝道電子速度是u*（vgs-vth）/leff變為恆定值vsat。平方率退化為一次方率，這就是告訴大家，為什麼你用平方律手算的w，l這麼不准的原因了。
關鍵是要理解，飽和區管子的電場強度是（vgs-vth）/leff，溝道電子速度是u*（vgs-vth）/leff，當（vgs-vth）/leff太大時，速度飽和了（半導體的性質）。
數字整合 數字整合和數位電路的本質區別
最近真心有些累，剛剛入門ic的設計，很多東西都不懂，得多整理下，這個專題是整理數字積體電路相關的知識點的，資料大多參考我們ic班老師的ppt，感謝老師！對比如今的數字積體電路，之前學習的數字電子技術就是小巫見大巫，數電只研究到了門gate階段，而數集研究到了電路的層次，難度變大很多。下面這張圖是我們...
數字積體電路的描述
一 三個描述領域 1.行為領域 描述乙個設計的基本功能，或者說所設計的電路應該做什麼。從概念上講，是純行為的描述，是輸入和輸出對映關係的描述。2.結構領域 描述乙個設計的邏輯結構，或者說乙個設計的抽象實現。典型的表達方式是一些抽象功能模組之間相互連線的網表。二 五個描述層次 1.系統級 是針對整個數...
數字積體電路的層次關係
一篇博文，挺喜歡它的那個層次圖，很清晰的反映了數字積體電路的層次關係 數位電路的設計，是按照層次化的方式進行的。在每乙個設計層次上，乙個複雜模組的內部細節可以被抽象化並用乙個黑盒子或模型來替代。典型的抽象層次 器件 電路 門 功能模組 系統。這點類似於軟體設計，也是採用層次化結構，乙個完整的程式由若...