rom和ram指的都是半導體儲存器，rom是read only memory的縮寫，ram是random access memory的縮寫。rom在系統停止供電的時候仍然可以保持資料，而ram通常都是在掉電之後就丟失資料，典型的ram就是計算機的記憶體。
ram
ram有兩大類，一種稱為靜態ram(static ram/sram)，sram速度非常快，是目前讀寫最快的儲存裝置了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如cpu的一級緩衝，二級緩衝。另一種稱為動態ram(dynamic ram/dram)，dram保留資料的時間很短，速度也比sram慢，不過它還是比任何的rom都要快，但從**上來說dram相比sram要便宜很多，計算機記憶體就是dram的。
dram分為很多種，常見的主要有fpram/fastpage、edoram、sdram、ddr ram、rdram、sgram以及wram等，這裡介紹其中的一種ddr ram。
ddr ram(date-rate ram)也稱作ddr sdram，這種改進型的ram和sdram是基本一樣的，不同之處在於它可以在乙個時鐘讀寫兩次資料，這樣就使得資料傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的記憶體，而且它有著成本優勢，事實上擊敗了intel的另外一種記憶體標準-rambus dram。在很多高階的顯示卡上，也配備了高速ddr ram來提高頻寬，這可以大幅度提高3d加速卡的畫素渲染能力。
記憶體工作原理
記憶體是用來存放當前正在使用的(即執行中)的資料和程式，我們平常所提到的計算機的記憶體指的是動態記憶體(即dram)，動態記憶體中所謂的"動態"，指的是當我們將資料寫入dram後，經過一段時間，資料會丟失，因此需要乙個額外設電路進行記憶體重新整理操作。
具體的工作過程是這樣的：乙個dram的儲存單元儲存的是0還是1取決於電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這就是資料丟失的原因;重新整理操作定期對電容進行檢查，若電量大於滿電量的1/2，則認為其代表1，並把電容充滿電;若電量小於1/2，則認為其代表0，並把電容放電，藉此來保持資料的連續性。
rom
rom也有很多種，prom是可程式設計的rom，prom和eprom(可擦除可程式設計rom)兩者區別是，prom是一次性的，也就是軟體灌入後，就無法修改了，這種是早期的產品，現在已經不可能使用了，而eprom是通過紫外光的照射擦出原先的程式，是一種通用的儲存器。另外一種eeprom是通過電子擦出，**很高，寫入時間很長，寫入很慢。
舉個例子，手機軟體一般放在eeprom中，我們打**，有些最後撥打的號碼，暫時是存在sram中的，不是馬上寫入通過記錄(聯絡歷史儲存在eeprom中)，因為當時有很重要工作(通話)要做，如果寫入，漫長的等待是讓使用者忍無可忍的。
flash儲存器又稱快閃儲存器，它結合了rom和ram的長處，不僅具備電子可擦除可程式設計(eeprom)的效能，還不會斷電丟失資料同時可以快速讀取資料(nvram的優勢)，u盤和***裡用的就是這種儲存器。在過去的20年裡，嵌入式系統一直使用rom(eprom)作為它們的儲存裝置，然而近年來flash全面代替了rom(eprom)在嵌入式系統中的地位，用作儲存bootloader以及作業系統或者程式**或者直接當硬碟使用(u盤)。
flash
目前flash主要有兩種nor flash和nadn flash。
nor flash的讀取和我們常見的sdram的讀取是一樣，使用者可以直接執行裝載在nor flash裡面的**，這樣可以減少sram的容量從而節約了成本。
nand flash沒有採取記憶體的隨機讀取技術，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的，通常是一次讀取512個位元組，採用這種技術的flash比較廉價。使用者不能直接執行nand flash上的**，因此好多使用nand flash的開發板除了使用nand flah以外，還作上了一塊小的nor flash來執行啟動**。
nand flash和nor flash的比較
nor和nand是現在市場上兩種主要的非易失快閃儲存器技術。intel於2023年首先開發出nor flash技術，徹底改變了原先由eprom和eeprom一統天下的局面。緊接著，東芝公司發表了nand flash結構，強調降低每位元的成本，更高的效能，並且象磁碟一樣可以通過介面輕鬆公升級。但是經過了十多年之後，仍然有相當多的硬體工程師分不清nor和nand快閃儲存器。
相"flash儲存器"經常可以與相"nor儲存器"互換使用。許多業內人士也搞不清楚nand快閃儲存器技術相對於nor技術的優越之處，因為大多數情況下快閃儲存器只是用來儲存少量的**，這時nor快閃儲存器更適合一些。而nand則是高資料儲存密度的理想解決方案。
nor是現在市場上主要的非易失快閃儲存器技術。nor一般只用來儲存少量的**;nor主要應用在**儲存介質中。nor的特點是應用簡單、無需專門的介面電路、傳輸效率高，它是屬於晶元內執行(xip, execute in place)，這樣應用程式可以直接在(nor型)flash快閃儲存器內執行，不必再把**讀到系統ram中。在1～4mb的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的效能。nor flash帶有sram介面，有足夠的位址引腳來定址，可以很容易地訪問其內部的每乙個位元組。nor flash佔據了容量為1～16mb快閃儲存器市場的大部分。
nand結構能提供極高的單元密度，可以達到高儲存密度，並且寫入和擦除的速度也很快。應用nand的困難在於flash的管理和需要特殊的系統介面。
ROM RAM Flash等不同儲存器的區別
rom 和ram 區別 rom read only memory 唯讀儲存器 在系統停止供電的時候仍然可以保持資料，ram random access memory 隨機訪問儲存器 通常都是在掉電之後就丟失資料，典型的 ram就是計算機的記憶體。rom prom eprom eeprom 區別 ro...
ROM，RAM，FLASH等儲存介質的區別介紹。
ram random access memory 隨機訪問儲存器，也叫主存，是與cpu直接交換資料的內部儲存器。它可以隨時讀寫 重新整理時除外 而且速度很快，通常作為作業系統或其他正在執行中的程式的臨時資料儲存介質。ram工作時可以隨時從任何乙個指定的位址寫入 存入 或讀出 取出 資訊。它與rom的...
放大器電路中的電路分析
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