ROM RAM Flash等不同儲存器的區別

2021-07-24 12:43:29 字數 3378 閱讀 8627

ø

rom

和ram

區別

rom(read only memory

,唯讀儲存器

)在系統停止供電的時候仍然可以保持資料,

ram(

random access memory

,隨機訪問儲存器)通常都是在掉電之後就丟失資料,典型的

ram就是計算機的記憶體。

ørom

、prom

、eprom

、eeprom

區別

rom(read only memory

,唯讀儲存器

):生產過程中燒錄程式,使用者無法更改。在微機

的發展初期,bios都存放在

rom中。rom內部的資料是在rom的製造工序中,在工廠裡用特殊的方法被

燒錄進去的,其中的內容只能讀不能改,一旦燒錄進去,使用者只能驗證寫入的資料是否正確,不能再作任何修改。如果發現資料有任何錯誤,則只有捨棄不用,重新訂做乙份。rom是在生產線上生產的,由於成本高,一般只用在大批量應用的場合。

prom

(programmable rom

,可程式設計

rom):使用者可以燒錄程式,但只能燒錄一次。

由於rom製造和公升級的不便,後來人們發明了prom。最初從工廠中製作完成的prom內部並沒有資料,使用者可以用專用的程式設計器將自己的資料寫入,但是這種機會只有一次,一旦寫入後也無法修改,若是出了錯誤,已寫入的晶元只能報廢。prom的特性和rom相同,但是其成本比rom高,而且寫入資料的速度比rom的

量產速度要慢,一般只適用於少量需求的場合或是rom量產前的驗證。

eprom

(erasable programmable rom

,可擦除可程式設計

rom):可重複擦除和寫入,但操作不方便。

eprom

晶元有乙個很明顯的特徵,在其正面的陶瓷封裝上,開有乙個玻璃窗口,透過該視窗,可以看到其內部的

積體電路

,紫外線透過該孔照射內部晶元就可以擦除其內的資料,完成晶元擦除的操作要用到eprom擦除器。eprom內資料的寫入要用專用的程式設計器,並且往晶元中寫內容時必須要加一定的程式設計電壓(vpp=12~24v,隨不同的晶元型號而定)。eprom的型號是以27開頭的,如27c020(8*256k)是一片2m bits容量的eprom晶元。eprom晶元在寫入資料後,還要以不透光的貼紙或膠布把視窗封住,以免受到周圍的紫外線照射而使資料受損。

eeprom

(electrically erasable programmable rom

,電可擦除可程式設計

rom):可多次方便地擦出和寫入。

eeprom

的擦除不需要借助於其它裝置,它是以電子訊號來修改其內容的,而且是以byte為最小修改單位,不必將資料全部洗掉才能寫入,徹底擺脫了eprom eraser和程式設計器的束縛。eeprom在寫入資料時,仍要利用一定的程式設計電壓,此時,只需用廠商提供的專用重新整理程式就可以輕而易舉地改寫內容,所以,它屬於雙電壓晶元。借助於eeprom晶元的雙電壓特性,可以使bios具有良好的防毒功能,在公升級時,把

跳線開關打至「on」的位置,即給晶元加上相應的程式設計電壓,就可以方便地公升級;平時使用時,則把跳線開關打至「off」的位置,防止cih類的病毒對

bios

晶元的非法修改。所以,至今仍有不少主機板採用eeprom作為bios晶元並作為自己主機板的一大特色。

øram

、sram

、dram

區別

ram(random access memory

,隨機訪問儲存器):又稱作

「隨機儲存器

」,是與

cpu直接交換資料的

內部儲存器

,也叫主存(記憶體

)。它可以隨時讀寫,而且速度很快,通常作為

作業系統

或其他正在執行中的程式的臨時資料儲存媒介。分為

sram

(static ram

,靜態ram

)和dram

(dynamic ram

,動態ram

)兩種。

sram

(static ram

,靜態ram

):static

是指只要不掉電,儲存在

sram

中的資料就不會丟失。

sram

速度非常快,是目前讀寫最快的儲存裝置了,但是它也非常昂貴,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如cpu的一級緩衝,二級緩衝。

dram

(dynamic ram

,動態ram

):dynamic

是指ram

需要進行週期性的重新整理操作。

dram

保留資料的時間很短,速度也比sram慢,不過它還是比任何的rom都要快,但從**上來說dram相比sram要便宜很多,計算機記憶體就是dram的。

ø微控制器程式儲存器、資料儲存器和

eeprom

的區別

lpc1788

為例,它具有

512kb flash

儲存器,

96kb

資料儲存器,

4kb eeprom。

它的flash

儲存器主要用於存放燒錄的程式,掉電不丟失,是

eeprom

的一種;資料儲存器用於存放程式執行的中間資料,掉電丟失,屬於

ram;

eeprom

掉電不丟失,主要用於儲存較少量的開機時用到的引數。

程式儲存器用於存放系統工作的應用程式及一些不需改變的資料常數,程式寫入程式儲存器後,微控制器系統只能讀取程式指令使系統執行,而不能再進行改寫,且系統掉電後,程式不會丟失。因此,程式儲存器是rom(read only memory),即唯讀儲存器。這裡的flash儲存器就是它的程式儲存器。

flash

的全稱是flash eeprom,也是但跟常規eeprom的操作方法不同。flash和eeprom的最大區別是flash按扇區操作,eeprom則按位元組操作,二者定址方法不同,儲存單元的結構也不同,flash的電路結構較簡單,同樣容量佔晶元面積較小,成本自然比eeprom低,因而適合用作程式儲存器,eeprom則更多的用作非易失的資料儲存器。當然用flash做資料儲存器也行,但操作比eeprom麻煩的多,所以更「人性化」的mcu設計會整合flash和eeprom兩種非易失性儲存器,而廉價型設計往往只有flash,早期可電擦寫型mcu則都是eeprm結構,現在已基本上停產了。

一般來說eeprom中存放開機時用到的引數,不可丟失的變數等,而flash中會存放程式,記錄檔案等。

資料儲存器是用於存放程式執行的中間處理資料的,可隨程式執行而隨時寫入或讀出資料儲存器的內容,當系統掉電時,資料全部會丟失。因此,資料儲存器是ram,即可隨機讀寫的儲存器。

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ram random access memory 隨機訪問儲存器,也叫主存,是與cpu直接交換資料的內部儲存器。它可以隨時讀寫 重新整理時除外 而且速度很快,通常作為作業系統或其他正在執行中的程式的臨時資料儲存介質。ram工作時可以隨時從任何乙個指定的位址寫入 存入 或讀出 取出 資訊。它與rom的...

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