除錯模擬I2C遇到的問題

最近一直在調模擬i2c，使用的是rtt提供的模擬i2c的驅動，工作是從stm32f302移植到stm32f103，主要的改動在於定時器和gpio。除錯幾天之後發現總是沒有ack，一直懷疑是在讀ack的時候沒有把sda的gpio配置為輸入模式，但也沒有去深究（太不嚴謹了！）。

定時器確定沒有問題之後，問題肯定是出在gpio配置上了，經過看手冊發現，將stm32的gpio配置為開漏輸出，仍然可以使用讀取暫存器的方式讀到管腳的高、低電平（這就是開漏輸出和推挽輸出的區別啊）。而我將其配置為推挽輸出了，這樣從裝置是沒法將其拉低的。從中可以學些下開漏輸出和推挽輸出的區別。

簡單介紹下推挽輸出和開漏輸出的區別：

推挽輸出:可以輸出高,低電平,連線數字器件。

輸出 0 時，n-mos 導通，p-mos 高阻，輸出0。

輸出 1 時，n-mos 高阻，p-mos 導通，輸出1（不需要外部上拉電路）。

開漏輸出:輸出端相當於三極體的集電極. 要得到高電平狀態需要上拉電阻才行. 適合於做電流型的驅動,其吸收電流的能力相對強(一般20ma以內).

輸出 0 時，n-mos 導通，p-mos 不被啟用，輸出0。

輸出 1 時，n-mos 高阻， p-mos 不被啟用，輸出1（需要外部上拉電路）；可以讀io輸入電平變化，此模式可以把埠作為雙向io使用。

最後，在操作eeprom的時候要注意晶元的大小，單位元組位址最大可以寫256個位元組。如果大於256的容量就要使用雙位址。\

eeprom在讀寫操作時，經測試即可以是單位元組位址（最大256bytes）操作，也可以是雙位元組位址（如果大於256）操作。

是都可以進行正常讀寫的。

也可以是device_control_write+ 0x00 + 0x00 + device_control_read（最大讀取2的16次方）

還要注意eeprom的wp管腳為寫保護管腳，高電平為寫保護狀態。要將其改為低電平。