由於nand flash的工藝不能保證nand的memory array在其生命週期中保持效能的可靠，因此，在nand的生產中及使用過程中會產生壞塊。壞塊的特性是：當程式設計/擦除這個塊時，不能將某些位拉高，這會造成page program和block erase操作時的錯誤，相應地反映到status register的相應位。總體上，壞塊可以分為兩大類：
1.固有壞塊
這是生產過程中產生的壞塊，一般晶元原廠都會在出廠時都會將壞塊第乙個page的spare area的第1個或者6個byte標記為不等於0xff的值，標記在哪一位是根據page的大小決定的，詳情參考我的另一篇部落格:
2.使用壞塊
這是在nand flash使用過程中，如果block erase或者page program錯誤，就可以簡單地將這個塊作為壞塊來處理，這個時候需要把壞塊標記起來。為了和固有壞塊資訊保持一致，將新發現的壞塊的第乙個page的spare area的第1個或者6個byte標記為非0xff的值。
我們了解了nand flash出廠時在spare area中已經反映出了壞塊資訊，因此，如果在擦除乙個塊之前，一定要先check一下spare area的第1或者第6個byte是否是0xff，如果是就證明這是乙個好塊，可以擦除；如果是非0xff，那麼就不能擦除。當然，這樣處理可能會犯乙個錯誤―――「錯殺偽壞塊」，因為在晶元操作過程中可能由於電壓不穩定等偶然因素會造成nand操作的錯誤。但是，為了資料的可靠性及軟體設計的簡單化，我們就要奉行「蔣委員長」的「寧可錯殺一千，也決不放過乙個」的宗旨。
補充說明：
1.需要對前面由於page program錯誤發現的壞塊進行一下特別說明。如果在對乙個塊的某個page進行程式設計的時候發生了錯誤就要把這個塊標記為壞塊，首先就要把其他好的page裡面的內容備份到另外乙個空的好塊裡面，然後，把這個塊標記為壞塊。當然，這可能會犯「錯殺」之誤，乙個補救的辦法，就是在進行完頁備份之後，再將這個塊擦除一遍，如果block erase發生錯誤，那就證明這個塊是個真正的壞塊，那就毫不猶豫地將它打個「戳」吧！
2.可能有人會問，為什麼要使用spare area的第乙個或者第六個byte作為壞塊標記。這是nand flash生產商的預設約定的，但是也不一定必須得是第一或者第六個byte，只是這兩者情況用的比較多而已，詳情參考。
Nand Flash壞塊處理
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nand flash壞塊管理OOB,BBT,ECC
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