今年準備寫的文章

2021-08-09 07:00:37 字數 624 閱讀 9947

1.純石墨烯,從結構上下文章,純**,或者是超材料,或者是那個法布里珀羅腔金屬三明治結構。

2.黑磷量子點,和石墨烯結合,還是有很多可以分析的內容,比方說量子點的基本性質,光譜,從而反向推出團簇的厚度,與afm相比對。石墨烯結合後的光響應,響應率的高低由什麼影響,在各個波長會不會差別很大,與pl光譜有什麼關係。

3.對數週期天線,石墨烯。先ebl走起,鍍膜,源漏電極製作完成。第二次ebl,需要刻出乙個足夠大的框,覆蓋源漏電極,ald沉積絕緣層。第三次ebl,製作柵極,搞定。之後目前還沒想好,做出器件後的後續工作。

4.低溫量子點,這個需要面積比較大的石墨烯,所以要刻蝕。先刻蝕,再用金屬掩模鍍膜,也就有了大致的金屬標記,雖然對不准,也能湊活用。利用金屬標記做ebl,如果要求電子掩模是負片,同時還要有精確的對準標記,這個很難實現。如果是正片,光刻後要先沉積金屬,再刻蝕,再ebl做pad,最後把中間剩下的量子點孤島上的金屬去掉,可行。

用氧等離子體打了一下石墨烯,即使有金屬掩膜保護,石墨烯依然被去得乾乾淨淨。先刻蝕這個想法是有問題的。目前的想法是,先在買來的cvd石墨烯上面做對準標記,然後進行ebl。ebl要做電極,電極要連起來,中間乙個位置粗一點,用lift-off工藝。得到電極之後,進行金屬的腐蝕來得到小一點的金屬孤島,再刻蝕掉石墨烯,最後再腐蝕掉金屬。

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