1.記憶體分類
記憶體由於具備訪問速度快，訪問方式簡單等優點，成為了c或者是嵌入式硬體平台上不可或缺的元件。在開始學習如何使用記憶體之前，非常有必要先了解一下記憶體的分類：
dram：它的基本原件是小電容，電容可以在兩個極板上保留電荷，但是需要定期的充電（重新整理），否則資料會丟失。缺點：由於要定期重新整理儲存介質，訪問速度較慢。
sram：它是一種具有靜止訪問功能的記憶體，不需要定期重新整理電路就能儲存它內部儲存的資料。其優點：訪問速度快;但是缺點是：功耗大，成本高。常用作儲存容量不高，但訪問速度快的場合，比如steppingstone.
1.2 dram分類
在嵌入式硬體體系中，除了cpu內部的」墊腳石」採用sram外，板載記憶體一般會採用dram，而dram又可以分
為sdram,ddr,ddr2等
1.2 sdram
sdram(synchronous dynamic random accessmemory):同步動態隨機儲存器.
同步: 記憶體工作需要有同步時鐘，內部的命令的傳送與資料的傳輸都以該時鐘為基準。
動態：儲存陣列需要不斷的重新整理來保證資料不丟失。
備註：2440開發板上使用的記憶體通常是sdram.
1.2 ddr與ddr2
ddr (double data ratesdram)，即「雙倍速率同步動態隨機儲存器」。與早期的sdram相比，ddr除了可
以在時鐘脈衝的
上公升沿傳輸資料，還可以在
下降沿傳輸訊號，這意味著在相同的工作頻率下，ddr的理論傳輸速率
為sdram的兩倍。ddr2則在ddr的基礎上再次進行了改進，使得資料傳輸速率在ddr的基礎上再次翻倍。
備註：6410開發板通常採用ddr記憶體，210開發板通常採用ddr2記憶體
2.記憶體內部結構
2.1表結構
記憶體的內部如同**,資料就存放在每個單元格中。資料讀寫時，先指定行號(行位址)，再指定列號(列位址) ，我們就可以準確地找到所需要的單元格。而這張**的稱為:
logical bank(l-bank).
2.2 l-bank
由於技術、成本等原因，一塊記憶體不可能把所有的單元格都做到乙個l-bank，現在記憶體內部基本都會分割成4個l-bank。
2.3定址資訊
1.l-bank選擇訊號
2.行位址
3.列位址
推導記憶體容量計算公式： 晶元容量 = 4 * 單元格數目 * 單元格容量
然而在晶元手冊中卻是：
256m (16mx16bit) hynix sdram memory
這個256m其實應該是 4*4m*16bit = 256mbit（帶bit的）如果要轉換成普通的記憶體。就需要256/8bit = 32mb（這個byte是位元組的意思）
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給主人留下些什麼吧！~~
國嵌攻略 039 我從內部看記憶體
記憶體分類 1.dram 動態ram 它的基本原件是小電容，電容可以在兩極板上保留電荷，但是需要定期的重新整理，否則資料會丟失。缺點是由於要定期重新整理儲存介質，訪問速度較慢 dram分類 1.1.sdram 同步動態隨機儲存器 同步 記憶體工作時需要有同步時鐘，內部的命令的傳送與資料的傳輸都是以該...
從類記憶體看虛表
結合文章看 情形一 單繼承，派生類中只有乙個虛表 include stdafx.h using namespace std include 基類a 單繼承中我們可以看出，派生類中只有乙個虛表，是從基類繼承過來的虛表，基類的虛表裡的內容先儲存到虛表中，接著如果派生類重寫了基類的虛函式則重新覆蓋更新基類...
C語言從記憶體上看指標
從下圖知道指標也是有位址的 在來看指標與變數的的記憶體塊 紅線是指標的位址 藍線是指標指向變數的位址ps 我把變數賦了初值 從上圖可以看出指標的位址裡面的值為 00 fe 6f 00 h x86的指標大小是4 因為大小端問題要從高位址向下 所以指標的值應該是 00 6f fe 00 h 而指標位址裡...