由於工藝上的原因，這個陣列不可能做得太大，所以一般記憶體晶元中都是將記憶體容量分成幾個陣列來製造，也就是說存在記憶體晶元中存在多個邏輯 bank，隨著晶元容量的不斷增加，邏輯bank數量也在不斷增加，目前從32mb到1gb的晶元基本都是4個。晶元組本身設計時在乙個時鐘週期內只允許對乙個邏輯bank進行操作（實際上晶元的位寬就是邏輯bank的位寬），而不是晶元組對記憶體晶元內 所有邏輯bank同時操作。邏輯bank的位址線是通用的，只要再有乙個邏輯bank編號加以區別就可以了（bank0到bank3）。但是這個晶元的位 寬決定了一次能從它那裡讀出多少資料，並不是記憶體晶元裡所有單元的資料一次全部能夠讀出 。
每個邏輯bank有8m個單元格（cell），一些廠商（比如現代/三星）就把每個邏輯bank的單元格數稱為資料深度（data depth），每個單元由8bit組成，那麼乙個邏輯bank的總容量就是64mbit（8m×8bit），4個邏輯bank就是256mbit，因此這 顆晶元的總容量就是256mbit（32mb）。
記憶體晶元的容量是一般以bit為單位的。比如說32mbit的晶元，就是說它的容量是32mb（b=bit=位），注意位（bit）與位元組 （byte）區別,這個晶元換算成位元組就是4mb（b=byte=位元組=8個bit）,一般記憶體晶元廠家在晶元上是標明容量的，我們可以晶元上的標識知 道，這個晶元有幾個邏輯bank，每個邏輯bank的位寬是多少，每個邏輯bank內有多少單元格（cell），比如64mb和128mb記憶體條常用的 64mbit的晶元就有如下三種結構形式：
①16 meg x 4 (4 meg x 4 x 4 banks) [16m╳4]
②8 meg x 8 (2 meg x 8 x 4 banks) [8m╳8]
③4 meg x 16 (1 meg x 16 x 4 banks) [4m╳16]
表示方法是：
每個邏輯bank的單元格數×邏輯bank數量×每個單元格的位數（晶元的位寬）
。晶元邏輯bank位寬目前的工藝水平只能最多做到16位， 因此大家看到幾乎所有的晶元邏輯bank位寬只可能4/8/16三者之一。以前16mbit的晶元基本採用的單個晶元兩個邏輯bank，但是到了 64mbit基本就都是4個邏輯bank設計了.
關於ok6410開發板上的記憶體初始化可以參考：
或者國嵌的資料。
記憶體事物顆粒
經實驗得 以此求gtx1050ti的記憶體事物顆粒大小 載入顆粒 在請求記憶體量 32位元組時，載入顆粒是32位元組。在請求記憶體量 32位元組時，載入顆粒是16位元組。儲存顆粒 無論什麼情況都是32位元組。小的記憶體顆粒適合做亂序的記憶體請求問題，因為記憶體事物效率相對較高。但在處理對齊合併記憶體...
認識記憶體顆粒編號含義
認識記憶體的效能引數一般方法是讀取spd晶元中的資訊，但由於spd資訊需要在開機狀態下檢視，而且有一些不法商家也會刷寫spd晶元中的資訊來欺騙消費者。因此，認識記憶體更好的辦法是識別記憶體顆粒的編號，當然不能是被打磨過的。通過檢視顆粒編號的含義，可以更好地識別記憶體是否為 下面我們以市面上最常見的h...
記憶體顆粒和快閃儲存器顆粒的區別 快閃儲存器顆粒與記憶體顆粒的不同
應該這樣分辨 整體設計 根據jedec joint electron device engineering council 美國電子工程設計發展聯合協會 的標準規範，從ddr400記憶體開始，pcb應採用6層設計，其中第2層為接地層，第5層為電源層，其餘4層均為訊號層。採用6層pcb板，有4層可以走...