mos管之高階驅動與低端驅動
有個專案需要對乙個模組的電源進行控制，最初選擇nmos，系統使用3.3v，模組使用的也是3.3v，上電發現nmos的s端輸出只有2.6v，研究發現這種高階驅動應該使用pmos；
以下內容**：
一直以為pmos是vgs>vt就導通，原來正好相反。pmos是vgs小於vt（閾值電壓）時，導通！
nmos的特性，vgs大於一定的值就會導通，適合用於源極接地時的情況（低端驅動），只要柵極電壓達到4v或10v就可以了。
pmos的特性，vgs小於一定的值就會導通，適合用於源極接vcc時的情況（高階驅動）。但是，雖然pmos可以很方便地用作高階驅動，但由於導通電阻大，**貴，替換種類少等原因，在高階驅動中，通常還是使用nmos。
請問手機充電電路為什麼都用pmos管？不知道相比於nmos來講pmos的優點在**，好像說是什麼柵極驅動的問題，不過我不明白具體的原理，哪位好心人能給點解答，我實在在網上搜不到了，謝謝了……！
banyan post at 2007-12-18 8:29:23
低電平使能，很方便
cforever post at 2007-12-18 9:42:36
低電平很好理解，只是我不清楚在usb或充電器插上一瞬間，由於vg在pmu內部是通過電阻下拉接地的。通過vgs肯定滿足讓pmos導通的條件，這時瞬時充電電壓和電流不是很高嗎？這是怎麼控制的呢？
ccforever post at 2007-12-18 9:57:52
呵呵，怎麼我在這個論壇上提了幾個問題都只有一兩個人會教我哦，上次問耳機mic的輸入變成偽差分的優點和原理，也沒有願意幫我……呵呵
zdbz post at 2007-12-28 14:31:34
這個主要是poms和nmos的製作工藝決定的
pmos有乙個很重要的優點，就是導通時候的低阻抗，這個對於要求過大電流的場合很適用
根本與使能電平無關[br]+1 rd幣
hintman post at 2008-1-3 15:17:35
mosfet在充電電路中都是用在high side的通路控制，nmos導通時需要門極驅動電平高於源極(s)，導通時d-s電位視為一致，如果用nmos做通路控制，需要驅動電壓高於輸入電源電壓(這樣要求驅動電路內部有公升壓電路產生高於輸入電源電壓的供電給驅動電路)，如果用pmos做通路控制，就沒有這個問題，驅動起來更方便。[br]+1 rd幣
matthews_liu post at 2008-1-4 20:53:10
控制端的電壓最大才3.0v 若要保證mosfet 導通,則必須採用p-mosfet
zdbz post at 2008-1-5 14:38:10
6樓所說的很對，我原以為只是因為導通電組，回頭看了一下nmos引數，發現nmos門極電壓也很重要。
nmos 導通條件 一般是d-->s,需要vgs>vt(導通門限電壓，正值)，如果vdsvgs-vt nmos就處於 飽和區
pmos 導通條件 一般是s-->d,需要vgstiankai post at 2009-12-11 16:08:12
這個主要是poms和nmos的製作工藝決定的
pmos有乙個很重要的優點，就是導通時候的低阻抗，這個對於要求過大電流的場合很適用
根本與使能電平無關
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這個說法不準確吧，rds按說 是nmos 的更低吧。。。
boyin757 post at 2009-12-12 20:42:55
pmos管導通電阻較nmos管大，nmos管的導通電壓大
sunightms post at 2009-12-12 21:47:27
充電mos的源極一般接charger的正極，電壓高，如果使用nmos，必須保證柵極的電壓高於源極才能導通，比較難實現，所以用pmos
linx post at 2009-12-24 15:11:31
[quote][b]以下是引用[i]hintman[/i]在2008-1-3 15:17:35的發言：[/b]
mosfet在充電電路中都是用在high side的通路控制，nmos導通時需要門極驅動電平高於源極(s)，導通時d-s電位視為一致，如果用nmos做通路控制，需要驅動電壓高於輸入電源電壓(這樣要求驅動電路內部有公升壓電路產生高於輸入電源電壓的供電給驅動電路)，如果用pmos做通路控制，就沒有這個問題，驅動起來更方便。
+1 rd幣
[/quote]
這個應該是正解，學習了！[em01]
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