原文出自：
閂鎖效應是cmos工藝所特有的寄生效應，嚴重會導致電路的失效，甚至燒毀晶元。閂鎖效應是由nmos的有源區、p襯底、n阱、pmos的有源區構成的n-p-n-p結構產生的，當其中乙個三極體正偏時，就會構成正反饋形成閂鎖。避免閂鎖的方法就是要減小襯底和n阱的寄生電阻，使寄生的三極體不會處於正偏狀態。
靜電是一種看不見的破壞力，會對電子元器件產生影響。esd 和相關的電壓瞬變都會引起閂鎖效應（latch-up）是半導體器件失效的主要原因之一。如果有乙個強電場施加在器件結構中的氧化物薄膜上，則該氧化物薄膜就會因介質擊穿而損壞。很細的金屬化跡線會由於大電流而損壞，並會由於浪湧電流造成的過熱而形成開路。這就是所謂的「閂鎖效應」。在閂鎖情況下，器件在電源與地之間形成短路，造成大電流、eos（電過載）和器件損壞。
mos工藝含有許多內在的雙極型電晶體。在cmos工藝下，阱與襯底結合會導致寄生的n-p-n-p結構。這些結構會導致vdd和vss線的短路，從而通常會破壞晶元，或者引起系統錯誤。
例如，在n阱結構中，n-p-n-p結構是由nmos的源，p襯底，n阱和pmos的源構成的。當兩個雙極型電晶體之一前向偏置時（例如由於流經阱或襯底的電流引起），會引起另乙個電晶體的基極電流增加。這個正反饋將不斷地引起電流增加，直到電路出故障，或者燒掉。
可以通過提供大量的阱和襯底接觸來避免閂鎖效應。閂鎖效應在早期的cmos工藝中很重要。不過，現在已經不再是個問題了。在近些年，工藝的改進和設計的優化已經消除了閂鎖的危險。
丁達爾效應產生的原因 什麼是閂鎖效應
閂鎖效應是由nmos的有源區 p襯底 n阱 pmos的有源區構成的n p n p結構產生的，當其中乙個三極體正偏時，就會構成正反饋形成閂鎖。閂鎖效應是cmos工藝所特有的寄生效應，嚴重會導致電路的失效，甚至燒毀晶元。閂鎖效應是由nmos的有源區 p襯底 n阱 pmos的有源區構成的n p n p結構...
什麼是LVM 什麼是LV 什麼是VG
lvm logicl volume manager 邏輯卷管理器，通過使用邏輯卷管理器對硬碟儲存裝置進行管理，可以實現硬碟空間的動態劃分和調整。一 基本概念 1 物理卷 pv physical volume 物理卷在邏輯卷管理中處於最底層，它可以是實際物理硬碟上的分割槽，也可以是整個物理硬碟。2 捲...
什麼是IaaS？什麼是PaaS？什麼是SaaS？
最近有朋友問我，什麼是iaas？什麼是paas？什麼是saas？他們又有什麼分別？其實，雲計算發展到今天，這些當年看似新穎的概念，已經快爛大街了，從業者早就對這些概念習以為常，但是圈外人卻依然是丈二和尚摸不著頭腦。今天我就來為圈外人士來解答一下，什麼是iaas，什麼是paas，什麼是saas。先來說...