1 sram
sram是英文static ram的縮寫，它是一種具有靜止訪問功能的記憶體，不需要重新整理電路即能儲存它內部儲存的資料。不像dram記憶體那樣需要重新整理電路，每隔一段時間，固定要對dram重新整理充電一次，否則內部的資料即會消失，因此sram具有較高的效能，但是sram也有它的缺點，即它的整合度較低，相同容量的dram記憶體可以設計為較小的體積，但是sram卻需要很大的體積，所以在主機板上sram儲存器要占用一部分面積。
◎優點，速度快，不必配合記憶體重新整理電路，可提高整體的工作效率。
◎缺點，整合度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且**較高，少量用於關鍵性系統以提高效率。
2 sdram
sdram:synchronous dynamic random access memory,同步動態隨機訪問儲存器，同步是指memory工作需要同步時鐘，內部的命令的傳送與資料的傳輸都以它為基準；動態是指儲存陣列需要不斷的重新整理來保證資料不丟失；隨機是指資料不是線性依次儲存，而是由指定位址進行資料讀寫。
sdram在程式中主要用作程式的執行空間，資料及堆疊區。
3 flash
flash為非易失快閃儲存器技術。可以在系統進行電擦寫。
目前rom有被flash取代的趨勢，
flash按結構分為nor （或非）和nand （與非）是兩大類。各有優缺點
採用flahs介質時乙個需要重點考慮的問題是可用性。對於需要擴充套件mtbf的系統來說，flash是非常合適的儲存方案。可以從壽命(耐用性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較nor和nand的可用性。
壽命(耐用性)
在nand快閃儲存器中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而nor的擦寫次數是十萬次。nand儲存器除了具有10比1的塊擦除週期優勢，典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍，每個nand儲存器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。
位交換
所有flash器件都受位交換現象的困擾。在某些情況下(很少見，nand發生的次數要比nor多)，乙個位元位會發生反轉或被報告反轉了。
一位的變化可能不很明顯，但是如果發生在乙個關鍵檔案上，這個小小的故障可能導致系統停機。如果只是報告有問題，多讀幾次就可能解決了。
當然，如果這個位真的改變了，就必須採用錯誤探測/錯誤更正(edc/ecc)演算法。位反轉的問題更多見於nand快閃儲存器，nand的**商建議使用nand快閃儲存器的時候，同時使用edc/ecc演算法。
這個問題對於用nand儲存多**資訊時倒不是致命的。當然，如果用本地儲存裝置來儲存作業系統、配置檔案或其他敏感資訊時，必須使用edc/ecc系統以確保可*性。
壞塊處理
nand器件中的壞塊是隨機分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力，但發現成品率太低，代價太高，根本不划算。
nand器件需要對介質進行初始化掃瞄以發現壞塊，並將壞塊標記為不可用。在已製成的器件中，如果通過可*的方法不能進行這項處理，將導致高故障率。
易於使用
可以非常直接地使用基於nor的快閃儲存器，可以像其他儲存器那樣連線，並可以在上面直接執行**。
由於需要i/o介面，nand要複雜得多。各種nand器件的訪問方法因廠家而異。
在使用nand器件時，必須先寫入驅動程式，才能繼續執行其他操作。向nand器件寫入資訊需要相當的技巧，因為設計師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在nand器件上自始至終都必須進行虛擬對映。
軟體支援
當討論軟體支援的時候，應該區別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用於磁碟**和快閃儲存器管理演算法的軟體，包括效能優化。
在nor器件上執行**不需要任何的軟體支援，在nand器件上進行同樣操作時，通常需要驅動程式，也就是記憶體技術驅動程式(mtd)，nand和nor器件在進行寫入和擦除操作時都需要mtd。
使用nor器件時所需要的mtd要相對少一些，許多廠商都提供用於nor器件的更高階軟體，這其中包括m-system的trueffs驅動，該驅動被wind river system、microsoft、qnx software system、symbian和intel等廠商所採用。
驅動還用於對diskonchip產品進行**和nand快閃儲存器的管理，包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
效能比較
flash快閃儲存器是非易失儲存器，可以對稱為塊的儲存器單元塊進行擦寫和再程式設計。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。nand器件執行擦除操作是十分簡單的，而nor則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0。
由於擦除nor器件時是以64～128kb的塊進行的，執行乙個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除nand器件是以8～32kb的塊進行的，執行相同的操作最多隻需要4ms。
執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了nor和nadn之間的效能差距，統計表明，對於給定的一套寫入操作(尤其是更新小檔案時)，更多的擦除操作必須在基於nor的單元中進行。這樣，當選擇儲存解決方案時，設計師必須權衡以下的各項因素。
● nor的讀速度比nand稍快一些。
● nand的寫入速度比nor快很多。
● nand的4ms擦除速度遠比nor的5s快。
● 大多數寫入操作需要先進行擦除操作。
● nand的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。
介面差別
nor flash帶有sram介面，有足夠的位址引腳來定址，可以很容易地訪問其內部的每乙個位元組。
nand器件使用複雜的i/o口來序列地訪問資料，各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、位址和資料資訊。
nand讀和寫操作採用512位元組的塊，這一點有點像硬碟管理此類操作，很自然地，基於nand的儲存器就可以取代硬碟或其他塊裝置。
容量和成本
nand flash的單元尺寸幾乎是nor器件的一半，由於生產過程更為簡單，nand結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也就相應地降低了**。
nor flash佔據了容量為1～16mb快閃儲存器市場的大部分，而nand flash只是用在8～128mb的產品當中，這也說明nor主要應用在**儲存介質中，nand適合於資料儲存，nand在compactflash、secure digital、pc cards和mmc儲存卡市場上所佔份額最大。
可用性和耐用性
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