一、ram(random access memory，隨機訪問儲存器)
ram的特點是：電腦開機時，作業系統和應用程式的所有正在執行的資料和程式都會放置其中，並且隨時可以對存放在裡面的資料進行修改和訪問。它的工作需要由持續的電力提供，一旦系統斷電，存放在裡面的所有資料和程式都會自動清空掉，並且再也無法恢復。
根據組成元件的不同，ram記憶體又分為以下十八種：
01.dram（dynamic ram，動態隨機訪問儲存器）
這是最普通的ram，乙個電子管與乙個電容器組成乙個位儲存單元，dram將每個記憶體位作為乙個電荷儲存在位儲存單元中，用電容的充放電來做儲存動作，但因電容本身有漏電問題，因此必須每幾微秒就要重新整理一次，否則資料會丟失。訪問時間和放電時間一致，約為2~4ms。因為成本比較便宜，通常都用作計算機內的主儲存器。
02.sram（static ram，靜態隨機訪問儲存器）
靜態，指的是記憶體裡面的資料可以長駐其中而不需要隨時進行訪問。每6顆電子管組成乙個位儲存單元，因為沒有電容器，因此無須不斷充電即可正常運作，因此它可以比一般的動態隨機處理記憶體處理速度更快更穩定，往往用來做快取記憶體。
04.fpm dram（fast page mode dram，快速頁切換模式動態隨機訪問儲存器）
改良版的dram，大多數為72pin或30pin的模組。傳統的dram在訪問乙個bit的資料時，必須送出行位址和列位址各一次才能讀寫資料。而frm dram在觸發了行位址後，如果cpu需要的位址在同一行內，則可以連續輸出列位址而不必再輸出行位址了。由於一般的程式和資料在記憶體中排列的位址是連續的，這種情況下輸出行位址後連續輸出列位址就可以得到所需要的資料。fpm將記憶體內部隔成許多頁數pages，從512b到數kb不等，在讀取一連續區域內的資料時，就可以通過快速頁切換模式來直接讀取各page內的資料，從而大大提高讀取速度。在96年以前，在486時代和pentium時代的初期， fpm dram被大量使用。
05.edo dram（extended data out dram，延伸資料輸出動態隨機訪問儲存器）
這是繼fpm之後出現的一種儲存器，一般為72pin、168pin的模組。它不需要像fpm dram那樣在訪問每一bit 資料時必須輸出行位址和列位址並使其穩定一段時間，然後才能讀寫有效的資料，而下乙個bit的位址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。因此它可以大大縮短等待輸出位址的時間，其訪問速度一般比fpm模式快15%左右。它一般應用於中檔以下的pentium主機板標準記憶體，後期的486系統開始支援edo dram，到96年後期，edo dram開始執行。。
06.bedo dram（burst extended data out dram，爆發式延伸資料輸出動態隨機訪問儲存器）
這是改良型的edo dram，是由美光公司提出的，它在晶元上增加了乙個位址計數器來追蹤下乙個位址。它是突發式的讀取方式，也就是當乙個資料位址被送出後，剩下的三個資料每乙個都只需要乙個週期就能讀取，因此一次可以訪問多組資料，速度比edo dram快。但支援bedo dram記憶體的主機板可謂少之又少，只有極少幾款提供支援（如via apollo vp2），因此很快就被dram取代了。
07.mdram（multi-bank dram，多插槽動態隨機訪問儲存器）
mosys公司提出的一種記憶體規格，其內部分成數個類別不同的小儲存庫 (bank)，也即由數個屬立的小單位矩陣所構成，每個儲存庫之間以高於外部的資料速度相互連線，一般應用於高速顯示卡或加速卡中，也有少數主機板用於l2快取記憶體中。
08.wram（window ram，視窗隨機訪問儲存器）
南韓samsung公司開發的記憶體模式，是vram記憶體的改良版，不同之處是它的控制線路有
一、二十組的輸入/輸出控制器，並採用edo的資料訪問模式,因此速度相對較快，另外還提供了區塊搬移功能（bitblt），可應用於專業繪圖工作上。
09.rdram（rambus dram，高頻動態隨機訪問儲存器）
10.sdram（synchronous dram，同步動態隨機訪問儲存器）
這是一種與cpu實現外頻clock同步的記憶體模式，一般都採用168pin的記憶體模組，工作電壓為3.3v。 所謂clock同步是指記憶體能夠與cpu同步訪問資料，這樣可以取消等待週期，減少資料傳輸的延遲，因此可提公升計算機的效能和效率。
11.sgram（synchronous graphics ram，同步繪圖隨機訪問儲存器）
sdram的改良版，它以區塊block，即每32bit為基本訪問單位，個別地取回或修改訪問的資料，減少記憶體整體讀寫的次數，另外還針對繪圖需要而增加了繪圖控制器，並提供區塊搬移功能（bitblt），效率明顯高於sdram。
12.sb sram（synchronous burst sram，同步爆發式靜態隨機訪問儲存器）
一般的sram是非同步的，為了適應cpu越來越快的速度，需要使它的工作時脈變得與系統同步，這就是sb sram產生的原因。
13.pb sram（pipeline burst sram，管線爆發式靜態隨機訪問儲存器）
cpu外頻速度的迅猛提公升對與其相搭配的記憶體提出了更高的要求，管線爆發式sram取代同步爆發式sram成為必然的選擇，因為它可以有效地延長訪問時脈，從而有效提高訪問速度。
14.ddr sdram（double data rate二倍速率同步動態隨機訪問儲存器）
作為sdram的換代產品，它具有兩大特點：其一，速度比sdram有一倍的提高；其二，採用了dll（delay locked loop：延時鎖定迴路）提供乙個資料濾波訊號。這是目前記憶體市場上的主流模式。
15.sldram （synchronize link，同步鏈環動態隨機訪問儲存器）
這是一種擴充套件型sdram結構記憶體，在增加了更先進同步電路的同時，還改進了邏輯控制電路，不過由於技術顯示，投入實用的難度不小。
16.cdram（cached dram，同步快取動態隨機訪問儲存器）
這是三菱電氣公司首先研製的專利技術，它是在dram晶元的外部插針和內部dram之間插入乙個sram作為二級cache使用。當前，幾乎所有的cpu都裝有一級cache來提高效率，隨著cpu時鐘頻率的成倍提高，cache不被選中對系統效能產生的影響將會越來越大，而cache dram所提供的二級cache正好用以補充cpu一級cache之不足，因此能極大地提高cpu效率。
17.ddrii (double data rate synchronous dram，第二代同步雙倍速率動態隨機訪問儲存器)
ddrii 是ddr原有的sldram聯盟於2023年解散後將既有的研發成果與ddr整合之後的未來新標準。ddrii的詳細規格目前尚未確定。
18.drdram (direct rambus dram)
是下一代的主流記憶體標準之一，由rambus 公司所設計發展出來，是將所有的接腳都鏈結到乙個共同的bus，這樣不但可以減少控制器的體積，已可以增加資料傳送的效率。
二、rom(read only memory，唯讀儲存器)
rom是線路最簡單半導體電路，通過掩模工藝，一次性製造，在元件正常工作的情況下，其中的**與資料將永久儲存，並且不能夠進行修改。一般應用於pc系統的程式碼、主機板上的 bios (基本輸入/輸出系統basic input/output system)等。它的讀取速度比ram慢很多。
根據組成元件的不同，rom記憶體又分為以下五種：
1.mask rom（掩模型唯讀儲存器）
製造商為了大量生產rom記憶體，需要先製作一顆有原始資料的rom或eprom作為樣本，然後再大量複製，這一樣本就是mask rom，而燒錄在mask rom中的資料永遠無法做修改。它的成本比較低。
2.prom（programmable rom，可程式設計唯讀儲存器）
這是一種可以用燒錄機將資料寫入的rom記憶體，但只能寫入一次，所以也被稱為「一次可程式設計唯讀儲存器」(one time progarmming rom，otp-rom)。prom在出廠時，儲存的內容全為1，使用者可以根據需要將其中的某些單元寫入資料0(部分的prom在出廠時資料全為0，則使用者可以將其中的部分單元寫入1)， 以實現對其「程式設計」的目的。
3.eprom（erasable programmable，可擦可程式設計唯讀儲存器）
這是一種具有可擦除功能，擦除後即可進行再程式設計的rom記憶體，寫入前必須先把裡面的內容用紫外線照射它的ic卡上的透明視窗的方式來清除掉。這一類晶元比較容易識別，其封裝中包含有「石英玻璃窗」，乙個程式設計後的eprom晶元的「石英玻璃窗」一般使用黑色不幹膠紙蓋住， 以防止遭到陽光直射。
4.eeprom（electrically erasable programmable，電可擦可程式設計唯讀儲存器）
功能與使用方式與eprom一樣，不同之處是清除資料的方式，它是以約20v的電壓來進行清除的。另外它還可以用電訊號進行資料寫入。這類rom記憶體多應用於即插即用（pnp）介面中。
5.flash memory（快快閃儲存器儲器）
這是一種可以直接在主機板上修改內容而不需要將ic拔下的記憶體，當電源關掉後儲存在裡面的資料並不會流失掉，在寫入資料時必須先將原本的資料清除掉，然後才能再寫入新的資料，缺點為寫入資料的速度太慢。
儲存器分類
為了縮小儲存器與處理器兩者之間在效能方面的差距，通常在計算機內部把各種不同容量和不同訪問速度的儲存器按一定的結構郵寄地組織在一起，以形成層次化的儲存器體系結構。通常儲存器的速度越快則容量越小，就越將其靠近cpu。因此，最快的暫存器離alu最近，然後是在cpu內部的cache，然後是在cpu晶元外的貯...
RAM，ROM，FLASH儲存器分類
dram，動態隨機訪問儲存器，需要不斷的重新整理，才能儲存資料.而且是行列位址復用的，許多都有頁模式。sram，靜態的隨機訪問儲存器，加電情況下，不需要重新整理，資料不會丟失，而且，一般不是行列位址復用的。sdram，同步的dram，即資料的讀寫需要時鐘來同步。dram和sdram由於實現工藝問題，...
常見儲存器分類
general ram and rom 小狼 一 ram ramdom access memory 儲存器分類 1.sram 靜態隨機儲存器 static ram 2.dram 動態隨機儲存器 dynamic ram 3.sdram 同步動態隨機儲存器 synchronous dynamic ram...