dram，動態隨機訪問儲存器，需要不斷的重新整理，才能儲存資料.而且是行列位址復用的，許多都有頁模式。
sram，靜態的隨機訪問儲存器，加電情況下，不需要重新整理，資料不會丟失，而且，一般不是行列位址復用的。
sdram，同步的dram，即資料的讀寫需要時鐘來同步。 dram和sdram由於實現工藝問題，容量較sram大。但是讀寫速度不如sram，但是現在，sdram的速度也已經很快了，時鐘好像已經有 150兆的了。那麼就是讀寫週期小於10ns了。
sram是靜態記憶體，sdram是同步動態記憶體 （sram速度快，sdram容量大）
ssram 是synchronous static random access memory 的縮寫，即同步靜態隨機訪問儲存器。
每單位容量的dram使用較少的電晶體而且占用面積小，而sram則是用較多電晶體占用的面也要相對大不少；dram需要不斷重新整理來維持所儲存的資料，sram則不需要；dram的訪問時鐘間隔長，而sram的速度快，時間短；dram的耗電低，sram耗電大。
目前，相同容量的sram**是sdram的8倍左右，面積則將近大4倍，所以sram常用於快速儲存的較低容量的ram需求，比如cache(快取），比如cpu內部的l1 cache和主機板上的l2 cache，一般只有幾百k。
布線上可以同樣遵守高速設計的需要，具體可參考廠家設計規範要求。
rom和ram指的都是半導體儲存器，rom是read only memory的縮寫，ram是random access memory的縮寫。rom在系統停止供電的時候仍然可以保持資料，而ram通常都是在掉電之後就丟失資料，典型的ram就是計算機的記憶體。
ram有兩大類，一種稱為靜態ram（static ram/sram），sram速度非常快，是目前讀寫最快的儲存裝置了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如cpu的一級緩衝，二級緩衝。另一種稱為動態ram（dynamic ram/dram），dram保留資料的時間很短，速度也比sram慢，不過它還是比任何的rom都要快，但從**上來說dram相比sram要便宜很多，計算機記憶體就是dram的。
dram分為很多種，常見的主要有fpram/fastpage、edoram、sdram、ddr ram、rdram、sgram以及wram等，這裡介紹其中的一種ddr ram。ddr ram（date-rate ram）也稱作ddr sdram，這種改進型的ram和sdram是基本一樣的，不同之處在於它可以在乙個時鐘讀寫兩次資料，這樣就使得資料傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的記憶體，而且它有著成本優勢，事實上擊敗了intel的另外一種記憶體標準－rambus dram。在很多高階的顯示卡上，也配備了高速ddr ram來提高頻寬，這可以大幅度提高3d加速卡的畫素渲染能力。
rom也有很多種，prom是可程式設計的rom，prom和eprom（可擦除可程式設計rom）兩者區別是，prom是一次性的，也就是軟體灌入後，就無法修改了，這種是早期的產品，現在已經不可能使用了，而eprom是通過紫外光的照射擦出原先的程式，是一種通用的儲存器。另外一種eeprom是通過電子擦出，**很高，寫入時間很長，寫入很慢。
舉個例子，手機軟體一般放在eeprom中，我們打**，有些最後撥打的號碼，暫時是存在sram中的，不是馬上寫入通過記錄（聯絡歷史儲存在eeprom中），因為當時有很重要工作（通話）要做，如果寫入，漫長的等待是讓使用者忍無可忍的。
flash儲存器又稱快閃儲存器，它結合了rom和ram的長處，不僅具備電子可擦出可程式設計（eeprom）的效能，還不會斷電丟失資料同時可以快速讀取資料（nvram的優勢），u盤和***裡用的就是這種儲存器。在過去的20年裡，嵌入式系統一直使用rom（eprom）作為它們的儲存裝置，然而近年來flash全面代替了rom（eprom）在嵌入式系統中的地位，用作儲存bootloader以及作業系統或者程式**或者直接當硬碟使用（u盤）。
目前flash主要有兩種nor flash和nadn flash。nor flash的讀取和我們常見的sdram的讀取是一樣，使用者可以直接執行裝載在nor flash裡面的**，這樣可以減少sram的容量從而節約了成本。nand flash沒有採取記憶體的隨機讀取技術，它的讀取是以一次讀取一快的形式來進行的，通常是一次讀取512個位元組，採用這種技術的flash比較廉價。使用者不能直接執行nand flash上的**，因此好多使用nand flash的開發板除了使用nand flah以外，還作上了一塊小的nor flash來執行啟動**。(nor flash 容量小，但可以直接讀取；nand flash 容量大，但不能直接讀取)
鐵電儲存器：目前ramtron公司的fram主要包括兩大類：序列fram和並行fram。其中序列fram又分i2c兩線方式的fm24 系列和spi三線方式的fm25 系列。序列fram與傳統的24 、25 型的e2prom引腳及時序相容，可以直接替換。fram產品具有ram和rom優點，讀寫速度快並可以像非易失性儲存器一樣使用。e2prom擦寫次數100萬次，鐵電可達100億次。
鐵電主要用於需要快速，反覆儲存的資料應用中
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1 基本思想 程式 分段 如 段 資料段 堆疊段等。每個段對應乙個段號，乙個段的虛擬位址空間從0開始連續編號。每段佔據一塊連續的記憶體。各段大小不等。記憶體動態分割槽 在程式裝入時，按照程式的段來分配記憶體，根據段的實際需求量，查詢乙個合適的空閒區，如果空閒區長度等於段的需求量，就可直接分配，否則將...
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一 儲存晶元簡介 1 引腳 2 晶元容量 字數 字長 二 儲存器容量擴充套件 位擴充套件 給定晶元字長較短，不滿足儲存器字長要求，要用多片來擴充套件字長 字擴充套件 給定晶元字數少，用多片來擴充套件字數 字位擴充套件 從字長和字數兩個方向擴充套件 1 位擴充套件 例 用1k4位的sram晶元實現1k...
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下面是題面。問題描述 byteland 王國準備在各伺服器間建立大型網路並提供多種服務。網路由 n 臺伺服器組成，用雙向的線連線。兩台伺服器之間最多只能有一條線直接連線，同時，每台伺服器最多只能和 10 臺伺服器直接連線，但是任意兩台伺服器間必然存在一條路徑將它們連線在一起。每條傳輸線都有乙個固定傳...