1，電容主要引數彙總：
1），標稱容量（額定容量）；
2），精度（誤差）；
3），溫度特性、溫度係數；
4），耐壓值（額定電壓）；
5），esr，esl；
6），品質因數q；
7），損耗角正切值d（tan δ）；
8），阻抗特性曲線；
9），封裝特性；
2，c-容量：
電容標稱容量，如：1uf，10uf，100uf等，根據實際使用需求選擇不同容量的電容；
注意：電容的標稱容量也是有頻率要求的，如：100uf@120hz，特別是大容量的電容，頻率特性特別明顯。
3，c-精度：
電容的實際容量會和標稱容量有一定的誤差值，因此，會有例如：10uf±10%，10uf±20%誤差等要求；
電容的生產工藝就導致電容的生產精度無法達到很高水平，常規的誤差在±10%或者±20%。
4，c-溫度特性、溫度係數：
電容對溫度的改變特別明顯，不同材質的電容對溫度的敏感度差異很大；
常用的x7r，np0，cog等材質也有如下的定義：
i類陶瓷電容：過去稱高頻陶瓷電容器（high-frequency ceramic capacitor），介質採用非鐵電（順電）配方，以tio2為主要成分（介電常數小於150），因此具有最穩定的效能；
c0g（美標）=np0（日標）：np0（negative-positive-zero）基本上沒有溫度漂移特性，穩定性高；
日本和美國的標準差異：
ii類陶瓷電容：過去稱為為低頻陶瓷電容器（low frequency ceramic capacitor），指用鐵電陶瓷作介質的電容器，因此也稱鐵電陶瓷電容器。
選型時需要注意材質的影響。
規格越高，成本越高。
5，耐壓值（額定工作電壓）：
常規的電容都會有額定工作電壓的要求，如：16vdc，25vdc，50vdc等；
電容器必須在額定工作電壓範圍內使用，否則容易擊穿；
不同的工作電壓情況下，需要預留的電壓預留會不一樣：
如：12v輸入，10v輸出的ldo供電，輸出電容的耐壓值在16v以上即可；
20v輸入，10v輸出的dcdc供電，輸出電容的耐壓值要求在25v以上；
6，esl和esr：
這是由於電容非理性狀態下，引發的寄生引數，會導致電容產生損耗；
esl：equivalent series inductance；等效串聯電感；這是由於電容引線產生的；
esr：equivalent series resistor；等效串聯電阻；這是由於電容器內部存在電阻導致；這是電容損耗的最大部分；
7，品質因數q：
表徵電容理想狀態的指標，q值越大，c越接近理想狀態；
品質因數q和損耗角正切值d的關係：
q=1/d；互為倒數的關係；（理解：損耗得越小，品質因數越好；理想情況下，無損耗時，品質因數無窮大）
品質因數q：幾十到幾百範圍；
8，損耗角正切值d（tan δ）：
定義：理想情況下，電容的電流是超前電壓90°的，但是由於電容非理想電容，存在一定的損耗，該損耗會導致電流超前電壓的角度達不到90°。可以認為最大的損耗是esr導致的熱損耗；
計算公式：
d=tan δ=esr/xc=esr/（1/2πfcs）；
損耗角δ範圍：0~90°，越小越好；
損耗角正切值d：0~幾十；越小越好；
9，頻率-阻抗特性曲線：
電容的阻抗是隨頻率改變的，xc=1/2π*f*cs；
理想情況下，頻率越大，阻抗越小，但由於esr的存在，xc不為0 ω（mω級別），又由於頻率高了之後，esl會其主導作用，阻抗xl=2π*f*esl會隨頻率增大而增大，如下圖：
因此：使用電容濾波時，其使用頻率必須在srf自諧振頻率點之前，否則會失去效果；
10，封裝特性：
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